[發明專利]一種TCO/TiW透明導電薄膜及其制備方法有效
【權利要求書】：
1.一種TCO/TiW透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，包括：在襯底的表面上沉積TiW合金，形成TiW合金薄膜層/襯底結構；再在所述TiW合金薄膜層的表面上沉積TCO透明導電氧化物，形成TCO薄膜層/TiW合金薄膜層/襯底結構。
2.根據權利要求1所述的TCO/TiW透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，依次包括如下步驟：
S1、采用射頻磁控濺射法在襯底的表面上沉積TiW合金薄膜層；
S2、對所述TiW合金薄膜層/襯底結構進行退火；
S3、采用射頻磁控濺射法在退火后的TiW合金薄膜層的表面上沉積TCO透明導電氧化物；
S4、對所述TCO薄膜層/TiW合金薄膜層/襯底結構進行退火。
3.根據權利要求2所述的TCO/TiW透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S1中，射頻磁控濺射所用的工作氣體為氬氣，氬氣流量為15-25sccm，純度不小于99.999%，腔室本底真空為5.0×10-4-7.0×10-4Pa。
4.根據權利要求2所述的TCO/TiW透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中，將所述TiW合金薄膜層/襯底結構放置于管式氣氛爐并通入氮氣進行分段退火，第一階段的退火溫度為230-270℃，保溫20-60min，然后將第二階段的退火溫度升高至430-470℃，保溫5-10min。
5.根據權利要求2所述的TCO/TiW透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S3中，磁控濺射所用工作氣體為氬氣，同時通入少量氧氣作為反應氣體，氣體流量分別為Ar：15-25sccm、O2:0.1-0.3sccm，純度不小于99.999%，腔室本底真空為5.0×10-4-7.0×10-4 Pa。
6.根據權利要求2所述的TCO/TiW透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S4中，將所述TCO薄膜層/TiW合金薄膜層/襯底結構放置于管式氣氛退火爐中，通入氮氣，退火溫度為280-320℃，保溫2-20min。
7.根據權利要求2所述的TCO/TiW透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，
步驟S1中，襯底溫度為室溫；
和/或，
步驟S3中，襯底溫度為室溫。
8.根據權利要求1所述的TCO/TiW透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，
TiW合金薄膜層的厚度為6-15nm；
和/或，
所述TCO薄膜層的厚度為100-120nm。
9.根據權利要求1所述的TCO/TiW透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，
所述襯底為玻璃襯底或電阻率為1-3W·cm的p-Si襯底；
和/或，
所述TCO透明導電氧化物為ITO、AZO或FTO。
10.一種由權利要求1-9中任一項所述的TCO/TiW透明導電薄膜的制備方法制備得到的TCO/TiW透明導電薄膜。
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