[發(fā)明專利]上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610854641.2
• 申請(qǐng)日: 2016-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN107868662B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋超;鄭樺;李桐霞;林澤鍵;黃銳;郭艷青;王祥;宋捷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 韓山師范學(xué)院
• 主分類號(hào): C09K11/84
• 分類號(hào): C09K11/84;C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制造方法，其特征在于，上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料應(yīng)用于硅基太陽(yáng)能電池中，所述上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的形成工藝和制造所述硅基太陽(yáng)能電池的微電子工藝相兼容，所述上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料由采用包括如下步驟形成的稀土摻雜硫氧化物組成：

步驟一、提供多靶磁控濺射設(shè)備；

步驟二、在所述多靶磁控濺射設(shè)備的共濺射反應(yīng)室中安裝多個(gè)靶材，靶材根據(jù)所要形成的所述稀土摻雜硫氧化物進(jìn)行選取，包括：

所述稀土摻雜硫氧化物的硫氧化物基質(zhì)材料對(duì)應(yīng)的基質(zhì)稀土氧化物靶和基質(zhì)稀土硫化物靶，所述稀土摻雜硫氧化物的稀土摻雜材料對(duì)應(yīng)的摻雜稀土靶；

所述稀土摻雜硫氧化物的硫氧化物基質(zhì)材料為硫氧化鑭、硫氧化釔、硫氧化釓或硫氧化镥，硫氧化鑭基質(zhì)材料對(duì)應(yīng)的靶材包括氧化鑭靶和硫化鑭靶，硫氧化釔基質(zhì)材料對(duì)應(yīng)的靶材包括氧化釔靶和硫化釔靶，硫氧化釓基質(zhì)材料對(duì)應(yīng)的靶材包括氧化釓靶和硫化釓靶，硫氧化镥基質(zhì)材料對(duì)應(yīng)的靶材包括氧化镥靶和硫化镥靶；

所述上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的稀土摻雜硫氧化物薄膜材料的稀土摻雜材料為銪、鋱或鐿；銪摻雜材料對(duì)應(yīng)的靶材為銪靶，鋱摻雜材料對(duì)應(yīng)的靶材為鋱靶，鐿摻雜材料對(duì)應(yīng)的靶材為鐿靶；

步驟三、將襯底放入到所述共濺射反應(yīng)室的基片座上；

步驟四、將對(duì)所述共濺射反應(yīng)室進(jìn)行抽真空；

步驟五、通入濺射氣體并進(jìn)行濺射工藝在所述襯底表面形成所述稀土摻雜硫氧化物，所述濺射工藝的襯底溫度為室溫～400攝氏度。

2.如權(quán)利要求1所述的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制造方法，其特征在于：所述稀土摻雜硫氧化物的硫氧化物基質(zhì)材料對(duì)應(yīng)靶材還包括基質(zhì)稀土靶。

3.如權(quán)利要求2所述的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制造方法，其特征在于：所述稀土摻雜硫氧化物的硫氧化物基質(zhì)材料為硫氧化鑭、硫氧化釔、硫氧化釓或硫氧化镥，硫氧化鑭基質(zhì)材料對(duì)應(yīng)的靶材包括鑭靶、氧化鑭靶和硫化鑭靶，硫氧化釔基質(zhì)材料對(duì)應(yīng)的靶材包括釔靶、氧化釔靶和硫化釔靶，硫氧化釓基質(zhì)材料對(duì)應(yīng)的靶材包括釓靶、氧化釓靶和硫化釓靶，硫氧化镥基質(zhì)材料對(duì)應(yīng)的靶材包括镥靶、氧化镥靶和硫化镥靶。

4.如權(quán)利要求1所述的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制造方法，其特征在于：步驟四中將所述共濺射反應(yīng)室的真空抽到本底真空度優(yōu)于4.0×10^-4Pa。

5.如權(quán)利要求1所述的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制造方法，其特征在于：步驟五中所述濺射氣體為氬氣。

6.如權(quán)利要求所述1或2或3的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制造方法，其特征在于：步驟五中所述濺射工藝的濺射功率為：200W～1000W；濺射壓強(qiáng)為：0.1Pa～10Pa。

7.如權(quán)利要求所述1或2或3的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制造方法，其特征在于：在步驟五的所述濺射工藝中還包括通入氧氣或硫化氫氣。

8.如權(quán)利要求所述1或2或3的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制造方法，其特征在于：所述襯底包括透明導(dǎo)電玻璃片或單晶硅片。