[發明專利]碳化硅基板的制造方法

有效

• 申請號: 201610853198.7
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN107059135B
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 沖田恭子
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: C30B33/06
• 分類號: C30B33/06;C30B33/00;C30B29/36;B28D5/04
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王偉;安翔

1.一種碳化硅基板的制造方法，包括如下步驟：

制備單結晶碳化硅的結晶(1)；

將所述結晶(1)設置成柱狀，以使得所述結晶(1)的側表面的一部分由支撐基部(2)支撐；以及

通過切割所述結晶(1)來獲得基板(3)，

在所述獲得基板(3)的步驟中，在線(9)沿著所述結晶(1)的直徑方向的行進方向行進的同時，所述線(9)沿著與所述行進方向相垂直的切割方向移動，并且在如下的所述切割方向上進行切割：所述切割方向相對于所述結晶(1)的<11-20>方向或<1-100>方向所形成的角度在{0001}面上的正投影中是15°±5°，并且在所述獲得基板(3)的步驟中，所述結晶(1)被切割為：使得所述基板(3)的直徑與厚度的比值不小于100。

2.根據權利要求1所述的碳化硅基板的制造方法，其中，在所述獲得基板(3)的步驟中，在如下的所述切割方向上進行切割：所述切割方向相對于所述結晶(1)的<11-20>方向或<1-100>方向形成的角度在{0001}面上的正投影中是15°±2°。

3.根據權利要求1所述的碳化硅基板的制造方法，其中，所述結晶(1)沿<0001>方向生長。

4.根據權利要求2所述的碳化硅基板的制造方法，其中，所述結晶(1)沿<0001>方向生長。

5.根據權利要求1至4中的任一項所述的碳化硅基板的制造方法，其中，所述結晶(1)具有不小于2英寸的直徑。

6.根據權利要求1至4中的任一項所述的碳化硅基板的制造方法，其中，在所述獲得基板(3)的步驟中，通過線切割來切割所述結晶(1)。

7.根據權利要求5所述的碳化硅基板的制造方法，其中，在所述獲得基板(3)的步驟中，通過線切割來切割所述結晶(1)。