[發(fā)明專利]抗反射涂料組成物及抗反射膜

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610852598.6
• 申請日: 2016-09-27
• 公開（公告）號: CN106928755A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發(fā)明（設計）人: 高怡惠;黃昱豪
• 申請（專利權）人: 奇美實業(yè)股份有限公司
• 主分類號: C09D1/00
• 分類號: C09D1/00;C09D7/12;G02B1/113
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司11205
• 代理人: 彭雪瑞,臧建明

技術領域

本發(fā)明是涉及一種涂料組成物，尤其涉及一種抗反射涂料組成物及抗反射膜。

背景技術

現(xiàn)今普遍使用的望遠鏡、照相機及攝影機等的鏡頭皆屬于光學組件。一般而言，光線入射于不同介質上會發(fā)生穿透、吸收、反射等現(xiàn)象，而過多的光線發(fā)生反射后會互相干擾。舉例而言，照相機鏡頭會因為反射光過多導致顏色黯淡，因而導致無法經(jīng)由鏡頭擷取正確影像的顏色光澤。

為解決前述問題，在目前現(xiàn)有工藝中，通過在載板(例如：玻璃、塑料等材質)上形成折射率較載板的折射率低的薄膜來形成抗反射膜以降低反射率。所述具有較低折射率的薄膜可包括由具較低折射率的氟化鎂(MgF₂)經(jīng)真空蒸鍍法而形成的單層膜結構，或是藉由壓合各種不同折射率薄膜所產(chǎn)生的多層膜結構，其中若藉由屬于真空技術的真空蒸鍍法來形成多層膜結構，將需要較高的制造成本。

另外，在日本早期公開專利號H5-105424中揭示一種形成低折射率薄膜的方法，此方法是使用如旋轉涂布法(spin coating)或含浸法(dipping)的濕涂法(wet coating)，在載板上涂覆含有氟化鎂粒子的涂覆液來在載板上形成薄膜。然而，以此方法得到的薄膜卻具有非常低的機械強度且與載板間的附著力很差的缺點。

因此，開發(fā)具有良好折射率、良好機械強度、與載板間良好的附著力且制造成本低的抗反射膜是目前此領域極欲發(fā)展的目標。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供一種抗反射涂料組成物，其可制造出具有良好折射率、良好機械強度、與載板間良好的附著力且制造成本低的抗反射膜。

本發(fā)明提出一種抗反射涂料組成物，其包括0.7重量份至2重量份的二氧化硅微粒子、0.1重量份至1.1重量份的硅酸鹽化合物、0.05重量份至20重量份的水、79重量份至99重量份的有機溶劑以及陰離子，其中在所述抗反射涂料組成物中，所述陰離子的濃度范圍為大于85.1ppm至小于132.4ppm。

在本發(fā)明的一實施方式中，上述的二氧化硅微粒子至少包括由式(I)所示的烷氧基硅烷于堿性催化劑存在下經(jīng)水解縮合反應而得的化合物：

R_n-Si(OR1)_4-n 式(I)，

其中在式(I)中，R為C1～C10的經(jīng)取代或非經(jīng)取代的烷基、C2～C10的經(jīng)取代或非經(jīng)取代的烯基或C6～C10的經(jīng)取代或非經(jīng)取代的芳基，R1為C1～C10的經(jīng)取代或非經(jīng)取代的烷基，n為0～2的整數(shù)。

在本發(fā)明的一實施方式中，上述的堿性催化劑為選自由金屬氫氧化物、氨水、烷胺類、醇胺類、氯化芐基三乙基銨及氫氧化四甲基銨所組成的族群中的至少一種。

在本發(fā)明的一實施方式中，上述的硅酸鹽化合物至少包括由式(I)所示的烷氧基硅烷于酸性催化劑存在下經(jīng)水解縮合反應而得的化合物：

R_n-Si(OR1)_4-n 式(I)，

其中在式(I)中，R為C1～C10的經(jīng)取代或非經(jīng)取代的烷基、C2～C10的經(jīng)取代或非經(jīng)取代的烯基或C6～C10的經(jīng)取代或非經(jīng)取代的芳基，R1為C1～C10的經(jīng)取代或非經(jīng)取代的烷基，n為0～2的整數(shù)。

在本發(fā)明的一實施方式中，上述的酸性催化劑為選自由鹽酸、硝酸、氫氟酸、乙酸、三氟醋酸、硫酸、磷酸、硼酸、甲酸、草酸、對甲苯磺酸及烷基磺酸所組成的族群中的至少一種。

在本發(fā)明的一實施方式中，當n為0時，上述的式(I)所示的烷氧基硅烷包括四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷或四丁氧基硅烷；當n為1時，上述的式(I)所示的烷氧基硅烷包括甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三苯氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、丁基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、γ-(2-胺基乙基)胺基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巰基丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷或苯基三甲氧基硅烷；當n為2時，上述的式(I)所示的烷氧基硅烷包括二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二異丙基二甲氧基硅烷、二異丁基二甲氧基硅烷、環(huán)己基甲基二甲氧基硅烷、γ-氯丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-環(huán)氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷或γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷。

在本發(fā)明的一實施方式中，在上述的式(I)中，n為0或1。