[發明專利]晶硅太陽電池氧化鋁鈍化膜的PECVD沉積工藝有效
| 申請號： | 201610852529.5 | 申請日： | 2016-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN106435522B | 公開（公告）日： | 2019-04-12 |
| 發明（設計）人： | 許爍爍;劉良玉;舒慶予 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第四十八研究所 |
| 主分類號： | C23C16/40 | 分類號： | C23C16/40;C23C16/517;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周長清;張鮮 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽電池 氧化鋁 鈍化 pecvd 沉積 工藝 | ||
【權利要求書】：
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
