[發(fā)明專利]一種高電子遷移率晶體管及制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610851217.2 | 申請(qǐng)日： | 2016-09-26 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN106158952A | 公開(kāi)（公告）日： | 2016-11-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蔣苓利;沈忱;于洪宇;李濤;紀(jì)冬梅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 南方科技大學(xué);蘇州珂晶達(dá)電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/778 | 分類號(hào)： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 518000 廣東省*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電子 遷移率 晶體管 制備 方法 | ||
【說(shuō)明書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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