[發明專利]一種R?Fe?B系稀土燒結磁鐵的晶界擴散方法、HRE擴散源及其制備方法

在審

• 申請號: 201610850051.2
• 申請日: 2016-09-26
• 公開（公告）號: CN107871602A
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: 林玉麟;永田浩;廖宗博;謝菊華;葉瀚棽
• 申請（專利權）人: 廈門鎢業股份有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的晶界擴散方法，其特征在于，包括以下步驟：在耐高溫載體上形成膜的工程A，所述膜中附著有HRE化合物粉末，所述的HRE是選自Dy、Tb、Gd或Ho的至少一種；將所述R-Fe-B系稀土燒結磁鐵和經過所述工程A處理的形成膜的耐高溫載體放置在處理室內，在真空中或惰性氣氛中，對所述R-Fe-B系稀土燒結磁體和所述形成膜的耐高溫載體進行熱處理，從所述形成膜的耐高溫載體向所述R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的表面供給HRE的工程B。

2.根據權利要求1中所述的一種R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的晶界擴散方法，其特征在于：所述工程B的熱處理溫度為所述R-Fe-B系稀土燒結磁鐵燒結溫度以下的溫度。

3.根據權利要求2中所述的一種R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的晶界擴散方法，其特征在于：所述工程B中，將所述R-Fe-B系稀土燒結磁鐵和所述形成膜的耐高溫載體在800℃～1020℃的環境中加熱5～100小時。

4.根據權利要求1中所述的一種R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的晶界擴散方法，其特征在于：所述膜為均一分布的膜，其厚度在1mm以下。

5.根據權利要求1中所述的一種R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的晶界擴散方法，其特征在于：所述耐高溫載體上形成至少一塊的膜，每兩塊相鄰的所述膜在所述耐高溫載體上以間隔1.5cm以下的距離均勻分布。

6.根據權利要求3或4中所述的一種R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的晶界擴散方法，其特征在于：所述膜與所述耐高溫載體的結合力為1級、2級、3級或4級。

7.根據權利要求5中所述的一種R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的晶界擴散方法，其特征在于：所述附著有HRE化合物的膜還包括可在所述工程B中脫除至少95wt%的成膜劑，所述成膜劑選自樹脂、纖維素、氟硅聚合物、干性油或水玻璃中的至少一種。

8.根據權利要求6中所述的一種R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的晶界擴散方法，其特征在于：所述附著有HRE化合物的膜由成膜劑和HRE化合物粉末組成。

9.根據權利要求1中所述的一種R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的晶界擴散方法，其特征在于：所述耐高溫載體為耐高溫顆粒、耐高溫網、耐高溫板或耐高溫條。

10.根據權利要求9中所述的一種R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的晶界擴散方法，其特征在于：所述耐高溫載體采用選自氧化鋯、氧化鋁、氧化釔、氮化硼、氮化硅或碳化硅，或選自Mo、W、Nb、Ta、Ti、Hf、Zr、Ti、V、Re的周期表ⅣB族、ⅤB族、ⅥB或ⅦB族的一種金屬或者上述材料的合金制成。

11.根據權利要求1中所述的一種R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的晶界擴散方法，其特征在于：所述HRE化合物粉末選自HRE氧化物、HRE氟化物、HRE氯化物、HRE硝酸鹽和HRE氟氧化物的至少一種粉末，所述粉末的平均粒徑為200微米以下。

12.根據權利要求11中所述的一種R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的晶界擴散方法，其特征在于：所述附著有HRE化合物的膜中，HRE氧化物、HRE氟化物、HRE氯化物、HRE硝酸鹽和HRE氟氧化物的含量在90wt%以上。

13.根據權利要求1中所述的一種R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的晶界擴散方法，其特征在于：所述工程B中，所述耐高溫載體上形成的所述附著有HRE化合物的膜與所述R-Fe-B系稀土燒結磁鐵以接觸的方式放置或以不接觸的方式放置，在以不接觸的方式放置時，兩者之間的平均間隔設定在1cm以下。

14.根據權利要求13中所述的一種R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的晶界擴散方法，其特征在于：所述工程B中，在所述附著有HRE化合物的膜與所述R-Fe-B系稀土燒結磁鐵以不接觸的方式放置時，所述處理室的壓力在1000Pa以下。

15.根據權利要求1中所述的一種R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的晶界擴散方法，其特征在于：所述R-Fe-B系稀土燒結磁鐵的厚度為沿其磁取向方向30mm以下。