[發(fā)明專利]具有多個晶體管和至少一個電壓限制結(jié)構(gòu)的集成電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610849500.1
• 申請日: 2016-09-23
• 公開（公告）號: CN107026157A
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 安德烈亞斯·邁澤爾;迪爾克·普列費特;羅爾夫·魏斯
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 王萍,韓煒

1.一種集成電路，包括：

半導(dǎo)體本體，其包括第一半導(dǎo)體層、在所述第一半導(dǎo)體層上的絕緣層、以及在所述絕緣層上的第二半導(dǎo)體層；

多個晶體管，所述多個晶體管中的每個晶體管包括負(fù)載路徑和控制節(jié)點，其中所述負(fù)載路徑串聯(lián)連接以形成晶體管串聯(lián)電路，以及其中所述多個晶體管至少部分地集成在所述第二半導(dǎo)體層中；

電壓限制結(jié)構(gòu)，其與所述多個晶體管中的一個晶體管的負(fù)載路徑并聯(lián)連接，其中所述電壓限制結(jié)構(gòu)集成在所述第一半導(dǎo)體層中并且通過延伸穿過所述絕緣層的兩個導(dǎo)電通孔連接至所述多個晶體管中的所述一個晶體管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，還包括另外的電壓限制結(jié)構(gòu)，所述另外的電壓限制結(jié)構(gòu)集成在所述第二半導(dǎo)體層中并且與所述多個晶體管中的一個晶體管的負(fù)載路徑并聯(lián)連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，包括多個電壓限制結(jié)構(gòu)，其中所述多個電壓限制結(jié)構(gòu)中的每個與所述多個晶體管中的一個晶體管的負(fù)載路徑并聯(lián)連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路，

其中所述集成電路包括n個晶體管器件、n個電壓限制結(jié)構(gòu)以及n+1個導(dǎo)電通孔，以及

其中所述n+1個導(dǎo)電通孔中的n-1個導(dǎo)電通孔均連接至兩個電壓限制結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路，其中所述兩個電壓限制結(jié)構(gòu)是與所述晶體管串聯(lián)電路中的相鄰兩個晶體管并聯(lián)連接的電壓限制結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，

其中所述第一半導(dǎo)體層具有第一摻雜類型的基本摻雜，

其中所述電壓限制結(jié)構(gòu)包括第二摻雜類型的兩個摻雜區(qū)，所述第二摻雜類型與所述第一摻雜類型互補，

其中所述兩個摻雜區(qū)中的每個連接至所述兩個導(dǎo)電通孔之一。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述兩個導(dǎo)電通孔中的至少一個包括導(dǎo)電中心以及使所述中心與所述第一半導(dǎo)體層絕緣的電絕緣環(huán)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述多個晶體管中的每個晶體管包括：

源極區(qū)、體區(qū)、漂移區(qū)和漏極區(qū)，其中所述體區(qū)被布置在所述源極區(qū)和所述漂移區(qū)之間，所述漂移區(qū)被布置在所述體區(qū)和所述漏極區(qū)之間，以及所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)沿所述第一半導(dǎo)體層的側(cè)向間隔開；以及

柵電極，所述柵電極與所述體區(qū)相鄰并且通過柵極介電質(zhì)與所述體區(qū)介電絕緣。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路，其中所述柵電極被布置在所述第一半導(dǎo)體層的溝槽中。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路，其中所述多個晶體管器件中的每個還包括：

源電極，其電連接至所述源極區(qū)；以及

漏電極，其電連接至所述漏極區(qū)。

11.根據(jù)權(quán)利要求2和10所述的集成電路，還包括摻雜類型與所述體區(qū)相同并且電耦接至所述源電極的區(qū)，

其中所述另外的電壓限制結(jié)構(gòu)包括所述漂移區(qū)以及摻雜類型與所述體區(qū)相同的所述區(qū)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路，其中摻雜類型與所述體區(qū)相同的所述區(qū)與所述體區(qū)相比在所述漏極區(qū)的方向上延伸得更遠(yuǎn)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路，其中所述源電極被布置在所述第一半導(dǎo)體層的第一溝槽中并且所述源電極被布置在所述第一半導(dǎo)體層的第二溝槽中。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的集成電路，

其中所述源電極延伸穿過所述絕緣層并且形成所述兩個導(dǎo)電通孔中的一個，以及

其中所述漏電極延伸穿過所述絕緣層并且形成所述兩個導(dǎo)電通孔中的另一個。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路，其中所述多個晶體管中的至少一個還包括：

場電極，所述場電極通過場電極介電質(zhì)與所述漂移區(qū)介電絕緣，

其中所述場電極電連接至所述柵電極和所述源電極中的一個。

16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路，其中所述多個晶體管中的至少一個包括電連接至公共柵節(jié)點的、多個間隔開的柵電極。