[發(fā)明專利]顯示設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610849240.8
• 申請日: 2016-09-23
• 公開（公告）號: CN106876425B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁熙元;金炫植;樸惠香;李恩榮;全珠姬
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 郭艷芳;康泉

1.一種顯示設(shè)備，包括：

基板，包括被配置為顯示圖像的第一區(qū)域以及與所述第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域被配置為透射外部光；

設(shè)置在所述基板上的緩沖層；

第一半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一區(qū)域中；

第二半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第二區(qū)域中、所述緩沖層上；

絕緣層，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層上，并且包括設(shè)置在所述第二區(qū)域中并暴露所述第二半導(dǎo)體層的一部分的孔；

第一電極和第二電極，設(shè)置在所述第一區(qū)域中并彼此重疊；以及

發(fā)射層，設(shè)置在所述第一區(qū)域中的所述第一電極與所述第二電極之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層包括氧化物半導(dǎo)體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備，其中所述孔的邊緣與所述第二半導(dǎo)體層重疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備，其中所述基板是柔性的。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備，其中所述緩沖層的與所述孔重疊的一部分被所述第二半導(dǎo)體層覆蓋。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示設(shè)備，其中所述基板是柔性的。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備，其中所述緩沖層設(shè)置在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備，其中所述基板是柔性的。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述孔包括與所述第二半導(dǎo)體層重疊的邊緣。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，其中所述基板是柔性的。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述緩沖層的與所述孔重疊的一部分被所述第二半導(dǎo)體層覆蓋。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示設(shè)備，其中所述基板是柔性的。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述緩沖層設(shè)置在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示設(shè)備，其中所述基板是柔性的。

15.一種顯示設(shè)備，包括：

基板，包括被配置為顯示圖像的第一區(qū)域以及與所述第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域被配置為透射外部光；

設(shè)置在所述基板上的緩沖層；

第一電極和第二電極，設(shè)置在所述第一區(qū)域中并彼此重疊；

發(fā)射層，設(shè)置在所述第一區(qū)域中的所述第一電極與所述第二電極之間；

半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一區(qū)域中；以及

絕緣層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上，

其中：

所述絕緣層包括設(shè)置在所述第二區(qū)域中并且暴露所述緩沖層的一部分的孔；

所述孔包括第一孔部分以及與所述第一孔部分相鄰并且重疊的第二孔部分，所述第一孔部分比所述第二孔部分更鄰近所述基板；并且

所述第一孔部分的寬度大于所述第二孔部分的寬度，

所述第一孔部分通過在所述第二區(qū)域中在所述緩沖層上形成另一半導(dǎo)體層、在所述另一半導(dǎo)體層上形成所述絕緣層、在所述絕緣層中形成暴露所述另一半導(dǎo)體的一部分的所述第二孔部分并且然后去除所述另一半導(dǎo)體層而形成。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示設(shè)備，其中所述緩沖層設(shè)置在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示設(shè)備，其中所述半導(dǎo)體層直接設(shè)置在所述緩沖層上。