[發明專利]火花塞有效
| 申請號: | 201610847680.X | 申請日: | 2016-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN107026395B | 公開(公告)日: | 2019-07-12 |
| 發明(設計)人: | 吉田治樹;井笹純平;本田稔貴;橫山裕;田中邦治;荒木信良;今登志樹 | 申請(專利權)人: | 日本特殊陶業株式會社 |
| 主分類號: | H01T13/38 | 分類號: | H01T13/38;H01T13/20 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 火花塞 | ||
1.一種火花塞,該火花塞包括:絕緣體,其具有沿著軸線方向延伸的軸孔;中心電極,其設于所述軸孔的頂端側;主體金屬殼體,其設于所述絕緣體的外周;以及接地電極,其固定于所述主體金屬殼體的頂端,該火花塞的特征在于,
所述絕緣體相對于所述絕緣體中含有的元素的氧化物換算時的合計質量含有90.0質量%~98.1質量%的Al2O3,氣孔率A為5%以下,在進行下述加熱處理的情況下,若將下述加熱處理后的所述絕緣體的氣孔率設為B,則加熱處理前后的氣孔率的差即B-A為3.5%以下,
所述加熱處理具體為:
將所述絕緣體放到爐內,使爐內的溫度以升溫速度7℃/分鐘從室溫升溫至1400℃,在以1400℃保持了30分鐘之后,以每5分鐘10℃以下的降溫速度從1400℃降溫到400℃,然后使溫度降至室溫。
2.根據權利要求1所述的火花塞,其特征在于,
在對利用與所述軸線正交的平面剖切得到的所述絕緣體的剖面進行所述加熱處理之后,利用電子探針分析儀進行分析,將Si成分進行氧化物換算時的質量相對于檢測出的全部元素的氧化物換算時的合計質量的比例RASi為0.3質量%以上。
3.根據權利要求1所述的火花塞,其特征在于,
所述絕緣體的將Na成分和K成分進行氧化物換算時的合計質量相對于所述絕緣體中含有的元素的氧化物換算時的合計質量的比例為200ppm以下。
4.根據權利要求2所述的火花塞,其特征在于,
所述絕緣體的將Na成分和K成分進行氧化物換算時的合計質量相對于所述絕緣體中含有的元素的氧化物換算時的合計質量的比例為200ppm以下。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的火花塞,其特征在于,
所述氣孔率A為1.2%以下,所述加熱處理前后的氣孔率的差即B-A為2.0%以下。
6.根據權利要求2或4所述的火花塞,其特征在于,
所述比例RASi為0.8質量%以上。
7.根據權利要求1~4中任一項所述的火花塞,其特征在于,
利用電子探針分析儀對利用與所述軸線正交的平面剖切得到的所述絕緣體的剖面進行分析,將Ba成分、Mg成分、Ca成分以及Sr成分進行氧化物換算時的質量相對于檢測出的全部元素的氧化物換算時的合計質量的比例分別設為RBa、RMg、RCa以及RSr,該比例的單位為質量%,此時,滿足下述條件①~條件④:
①0.4≤RBa≤5.0
②0≤RMg≤0.5
③0≤RCa≤0.8
④0≤RSr≤1.5。
8.根據權利要求1~4中任一項所述的火花塞,其特征在于,
對于利用與所述軸線正交的平面剖切得到的所述絕緣體的剖面,在進行所述加熱處理之后利用電子探針分析儀進行分析,將Ba成分、Mg成分、Ca成分以及Sr成分進行氧化物換算時的質量相對于檢測出的全部元素的氧化物換算時的合計質量的比例分別設為RABa、RAMg、RACa以及RASr,該比例的單位為質量%,此時,滿足下述
0.3≤RABa≤4.9
0≤RAMg≤0.4
0≤RACa≤0.7
0≤RASr≤1.4。
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