[發(fā)明專利]金屬回收設(shè)備及用金屬回收設(shè)備回收晶片表面金屬的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610845691.4 | 申請日: | 2016-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN107017318B | 公開(公告)日: | 2020-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 曾俊龍;林弘耀;王新益;胡治綱;莊勝雄 | 申請(專利權(quán))人: | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬 回收 設(shè)備 晶片 表面 方法 | ||
本發(fā)明公開一種金屬回收設(shè)備及用金屬回收設(shè)備回收晶片表面金屬的方法。其中回收金屬的方法包括貼附一膠膜于一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的一金屬層,及利用一氣體壓力差使部分金屬層脫離半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)并轉(zhuǎn)移至膠膜上。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種金屬回收設(shè)備及一種利用金屬回收設(shè)備以回收晶片表面金屬的制作工藝,且特別是涉及一種適用于發(fā)光二極管制作工藝的金屬回收設(shè)備及一種利用金屬回收設(shè)備以回收發(fā)光二極管晶片表面金屬的制作工藝。
背景技術(shù)
金屬移除制作工藝是使用粘性膠膜粘著于晶片表面,利用膠膜粘貼晶片表面的金屬,然后再將膠膜由晶片表面撕離,即可移除不需要的金屬,而留下所需金屬的方法。
目前業(yè)界使用粘性膠膜粘貼晶片上金屬的移除作業(yè)方式有三大類:
人工:此方式主要是先將膠膜粘貼于晶片表面,其次在膠膜上重復(fù)按壓使膠膜貼于晶片表面的金屬上,最后將膠膜撕離晶片,使晶片上不需要的金屬轉(zhuǎn)貼至膠膜上而與晶片分離,僅留下需要的金屬。然而,利用人工將膠膜粘貼于晶片表面過程中,必須在膠膜上重復(fù)按壓使膠膜得以完整貼附于晶片表面,此動作同時也施壓于金屬或光致抗蝕劑上,易造成金屬或光致抗蝕劑變形,影響晶片良率。且人工按壓難以控制每次的施力大小,膠膜可能無法確實地貼附在晶片表面,使得晶片表面不需要的金屬無法被完整去除,進而影響晶片產(chǎn)出率。
機器:此方式主要是以治具將膠膜粘貼于晶片表面,再以治具在膠膜上重復(fù)按壓使膠膜粘貼于晶片表面的金屬上,最后再以機器帶動膠膜,將膠膜撕離晶片,使晶片上不需要的金屬轉(zhuǎn)貼至膠膜上而與晶片分離,僅留下需要的金屬。然而,由于晶片在制作工藝中會發(fā)生翹曲,當治具在粘性膠膜上重復(fù)按壓時,治具施加的壓力易造成晶片破裂。且由于晶片表面有凹凸處,治具無法針對凹凸處充分按壓,故金屬與膠膜間的粘貼效果不佳,無法完整地將晶片上不需要的金屬形去除,同樣會影響晶片的產(chǎn)出率。
化學(xué)溶劑及二流體、三流體:此方式主要是采用化學(xué)溶劑先浸泡晶片,使其表面的光致抗蝕劑松散(依技術(shù)不同,可使用也可不使用此步驟),然后再使用二種流體(水+空氣)或三種流體(水+空氣+水蒸氣)加壓噴灑在晶片表面,將光致抗蝕劑與附著在光致抗蝕劑上不需要的金屬一起噴離晶片表面,留下需要的金屬。然而,由于二流體或三流體易因溫度劇烈改變,造成晶片破裂,且二流體或三流體加壓噴灑在晶片表面,易在晶片上形成靜電進而造成電性異常。此外,利用二流體或三流體加壓噴灑晶片,已移除的金屬,會被流體帶動在晶片表面上造成刮傷現(xiàn)象。
有鑒于此,本發(fā)明公開一種新穎的金屬回收設(shè)備及制作工藝,其特征主要是在金屬回收設(shè)備中導(dǎo)入一新穎的金屬移除裝置,利用壓力差使膠膜可完整地貼附在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面,改善現(xiàn)有利用手工、機器或化學(xué)溶劑法移除膠膜所伴隨的缺點。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題,本發(fā)明提供一種回收金屬的方法,包括貼附一膠膜于一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的一金屬層,及利用一氣體壓力差使部分金屬層脫離半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)并轉(zhuǎn)移至膠膜上。
附圖說明
圖1A為本發(fā)明一實施例的金屬回收設(shè)備剖面示意圖;
圖1B~圖1E為使用圖1A的金屬移除裝置回收晶片表面金屬的制作工藝剖面示意圖;
圖1D'為本發(fā)明一實施例回收晶片表面金屬的其中一步驟的剖面示意圖;
圖1D為本發(fā)明一實施例回收晶片表面金屬的其中一步驟的剖面示意圖;
圖2A為本發(fā)明一實施例的金屬回收設(shè)備剖面示意圖;
圖2B~圖2E為使用圖2A中的金屬移除裝置回收晶片表面金屬的制作工藝剖面示意圖;
圖2D'為本發(fā)明一實施例回收晶片表面金屬的其中一步驟的剖面示意圖;
圖3A為本發(fā)明一實施例的金屬回收設(shè)備剖面示意圖;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于晶元光電股份有限公司,未經(jīng)晶元光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610845691.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗設(shè)備、驗證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





