[發(fā)明專利]ESD保護集成電路以及ESD檢測電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610844527.1 | 申請日： | 2016-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN106992172A | 公開（公告）日： | 2017-07-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 饒哲源;黃柏獅 | 申請（專利權(quán)）人： | 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京萬慧達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11111 | 代理人： | 白華勝,王蕊 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | esd 保護 集成電路 以及 檢測 電路 | ||
1.一種靜電放電ESD保護集成電路，包括:
功能電路，耦接到第一電源電壓和第二電源電壓，所述功能電路包括至少一個功能封裝球；以及
ESD檢測電路，耦接到所述第二電源電壓，所述ESD檢測電路不耦接到所述第一電源電壓并且不耦接到所述功能電路的所述至少一個功能封裝球。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ESD保護集成電路，其特征在于，所述第一電源電壓高于所述第二電源電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ESD保護集成電路，其特征在于，所述ESD檢測電路包括至少一個ESD封裝球，所述ESD檢測電路的所述ESD封裝球不耦接到所述功能電路的所述功能封裝球。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ESD保護集成電路，其特征在于，正常情況下，所述ESD檢測電路的等效電阻高于電阻閾值，并且所述ESD檢測電路處于與ESD合格相關(guān)的開啟狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ESD保護集成電路，其特征在于，
當(dāng)ESD應(yīng)激事件發(fā)生時，所述ESD檢測電路對所述ESD應(yīng)激事件放電；以及
當(dāng)所述ESD應(yīng)激事件高于所述ESD檢測電路的ESD保護閾值時，所述ESD檢測電路損壞，并且所述ESD檢測電路處于與ESD失效相關(guān)的短路狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ESD保護集成電路，其特征在于，所述ESD檢測電路包括：
并行連接的多個放電路徑，耦接到所述ESD封裝球和所述第二電源電壓之間，用于對ESD應(yīng)激事件放電，所述多個放電路徑具有彼此不同的放電電流；以及
ESD指示電路，耦接到所述ESD封裝球和所述第二電源電壓之間，所述ESD指示電路處于與ESD合格相關(guān)的開啟狀態(tài)或者處于與ESD失效相關(guān)的短路狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ESD保護集成電路，其特征在于，所述ESD檢測電路包括：
并行連接的多個放電路徑，耦接到所述ESD封裝球和所述第二電源電壓之間，用于對ESD應(yīng)激事件放電，所述多個放電路徑具有彼此不同的放電電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ESD保護集成電路，其特征在于，所述ESD檢測電路包括：
ESD指示電路，耦接到所述ESD封裝球和所述第二電源電壓之間，所述ESD指示電路處于與ESD合格相關(guān)的開啟狀態(tài)或者處于與ESD失效相關(guān)的短路狀態(tài)。
9.一種靜電放電ESD檢測電路，用于ESD保護集成電路中，所述ESD保護集成電路包括具有至少一個功能封裝球并且耦接到第一電源電壓和第二電源電壓的功能電路，所述ESD檢測電路包括：
至少一個ESD封裝球，所述ESD檢測電路的所述ESD封裝球不耦接到所述功能電路的所述功能封裝球并且不耦接到所述第一電源電壓；
并行連接的多個放電路徑，耦接到所述ESD封裝球和所述第二電源電壓之間，用于對ESD應(yīng)激事件放電，所述多個放電路徑具有彼此不同的放電電流；以及
ESD指示電路，耦接到所述ESD封裝球和所述第二電源電壓之間，所述ESD指示電路處于與ESD合格相關(guān)的開啟狀態(tài)或者處于與ESD失效相關(guān)的短路狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的ESD檢測電路，其特征在于，所述第一電源電壓高于所述第二電源電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的ESD檢測電路，其特征在于，正常情況下，所述ESD指示電路的等效電阻高于電阻閾值，并且所述ESD檢測電路處于與ESD合格相關(guān)的開啟狀態(tài)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的ESD檢測電路，其特征在于，
當(dāng)所述ESD應(yīng)激事件發(fā)生時，所述并行連接的多個放電路徑對所述ESD應(yīng)激事件放電；以及
當(dāng)所述ESD應(yīng)激事件高于所述ESD檢測電路的ESD保護閾值時，所述ESD指示電路損壞并且處于與ESD失效相關(guān)的短路狀態(tài)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的ESD檢測電路，其特征在于，并行連接的每個放電路徑包括耦接在所述ESD封裝球和所述第二電源電壓之間的至少一個二極管。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的ESD檢測電路，其特征在于，所述ESD指示電路包括耦接到所述ESD封裝球和所述第二電源電壓之間的晶體管，當(dāng)比所述ESD檢測電路的ESD保護閾值高的ESD應(yīng)激事件發(fā)生時，所述晶體管損壞。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的ESD檢測電路，其特征在于，所述ESD指示電路包括耦接到所述ESD封裝球和所述第二電源電壓的至少兩個晶體管，當(dāng)比所述ESD檢測電路的ESD保護閾值高的ESD應(yīng)激事件發(fā)生時，所述至少兩個晶體管漏-源極短路。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
