[發(fā)明專利]一種利用高溫超高壓制備片狀二硒化鉑的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610844233.9 | 申請日： | 2016-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN106431407B | 公開（公告）日： | 2019-04-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳遠富;劉科;鄭斌杰;戚飛;王新強;吳京軍;賀端威;張萬里;李言榮 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學;四川大學 |
| 主分類號： | C04B35/547 | 分類號： | C04B35/547;C04B35/65 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 利用 高溫 超高壓 制備 片狀 二硒化鉑 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于電子科技大學;四川大學，未經(jīng)電子科技大學;四川大學許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610844233.9/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
