[發明專利]顯示屏的保護層及其形成方法以及顯示屏及其形成方法在審
| 申請號: | 201610844205.7 | 申請日: | 2016-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN107863364A | 公開(公告)日: | 2018-03-30 |
| 發明(設計)人: | 肖德元 | 申請(專利權)人: | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人: | 余昌昊 |
| 地址: | 201306 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示屏 保護層 及其 形成 方法 以及 | ||
1.一種顯示屏的保護層,其特征在于,包括:一藍寶石襯底以及一形成于所述藍寶石襯底上的石墨烯薄膜。
2.一種顯示屏的保護層的形成方法,其特征在于,包括:
提供一藍寶石襯底;
于所述藍寶石襯底上形成一石墨烯薄膜,以構成所述顯示屏的保護層。
3.如權利要求2所述的顯示屏的保護層的形成方法,其特征在于,形成所述石墨烯薄膜的方法包括:
于所述藍寶石襯底上形成一碳化硅薄膜;
加熱形成有所述碳化硅薄膜的藍寶石襯底,去除所述碳化硅薄膜中的硅原子,以形成所述石墨烯薄膜。
4.如權利要求3所述的顯示屏的保護層的形成方法,其特征在于,利用原子層沉積工藝或化學氣相沉積工藝形成所述碳化硅薄膜。
5.如權利要求4所述的顯示屏的保護層的形成方法,其特征在于,所述化學氣相沉積工藝中的反應氣體為硅烷氣體和甲烷氣體。
6.如權利要求3所述的顯示屏的保護層的形成方法,其特征在于,對形成有所述碳化硅薄膜的藍寶石襯底進行加熱的溫度為大于等于1300℃。
7.如權利要求2所述的顯示屏的保護層的形成方法,其特征在于,在形成所述石墨烯薄膜之前還包括:
對所述藍寶石襯底執行預處理,以對其表面進行清潔。
8.如權利要求7所述的顯示屏的保護層的形成方法,其特征在于,所述預處理包括:
對藍寶石襯底進行拋光;
利用蝕刻劑處理藍寶石襯底;
利用去離子水清洗所述藍寶石襯底,并對其進行干燥。
9.如權利要求8所述的顯示屏的保護層的形成方法,其特征在于,所述蝕刻劑為硫酸和雙氧水的混合溶液。
10.如權利要求8所述的顯示屏的保護層的形成方法,其特征在于,利用去離子水以及超聲波震蕩對所述藍寶石襯底進行清洗。
11.如權利要求8所述的顯示屏的保護層的形成方法,其特征在于,對所述藍寶石襯底進行干燥的方法包括:
利用氮氣吹干所述藍寶石襯底后,置于烘箱中烘干。
12.一種顯示屏,包括:框架、安裝于所述框架上的顯示本體和保護層,所述保護層位于所述顯示本體的上方并位于所述顯示屏的顯示表面,其特征在于,所述保護層包括一藍寶石襯底以及一形成于所述藍寶石襯底上的石墨烯薄膜,并且所述藍寶石襯底上形成有石墨烯薄膜的一側朝向所述顯示本體。
13.如權利要求12所述的顯示屏,其特征在于,所述顯示屏還包括安裝于所述框架內部的一驅動芯片和一PCB電路板,所述PCB電路板和所述驅動芯片位于所述顯示本體的下方。
14.如權利要求12所述的顯示屏,其特征在于,所述顯示本體采用OLED顯示。
15.一種顯示屏的形成方法,其特征在于,包括:
提供一藍寶石襯底;
于所述藍寶石襯底上形成一石墨烯薄膜,以構成一保護層;
根據顯示屏的尺寸對所述保護層進行切割;
將切割后的保護層安裝于所述顯示屏的框架上,并使所述保護層位于所述顯示屏的顯示本體的上方,其中,所述保護層具有石墨烯薄膜的一側朝向所述顯示本體。
16.如權利要求15所述的顯示屏的形成方法,其特征在于,在所述藍寶石襯底上形成所述石墨烯薄膜的方法包括:
于所述藍寶石襯底上形成一碳化硅薄膜;
加熱形成有所述碳化硅薄膜的藍寶石襯底,去除所述碳化硅薄膜中的硅原子,以形成所述石墨烯薄膜。
17.如權利要求16所述的顯示屏的形成方法,其特征在于,利用原子層沉積工藝或化學氣相沉積工藝形成所述碳化硅薄膜。
18.如權利要求17所述的顯示屏的形成方法,其特征在于,所述化學氣相沉積工藝中的反應氣體為硅烷氣體和甲烷氣體。
19.如權利要求16所述的顯示屏的形成方法,其特征在于,對形成有所述碳化硅薄膜的藍寶石襯底進行加熱的溫度為大于等于1300℃。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





