[發明專利]動態隨機存取存儲器元件

有效

• 申請號: 201610843867.2
• 申請日: 2016-09-23
• 公開（公告）號: CN107871742B
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 張凱鈞;陳意維;鄭存閔;蔡志杰;劉瑋鑫;李瑞珉;張家隆
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種隨機動態處理存儲器元件，其特征在于包含：

多個字符線，設置在一基底的一第一溝槽內并沿著一第一方向延伸，各該字符線包含阻障層，其中該阻障層具有復合層結構，該復合層結構包含TiSi_xN_y，x和y皆為大于零的常數，在該復合層結構的底部，x大于y；而在該復合層結構的頂部，x小于y；以及

多個位線，設置在該些字符線上且沿著一第二方向延伸，該第二方向橫跨該第一方向。

2.依據權利要求1所述的隨機動態處理存儲器元件，其特征在于，該復合層結構的該底部中，x:y的比例為10:0.1至20:0.1。

3.依據權利要求1所述的隨機動態處理存儲器元件，其特征在于，該復合層結構的該頂部中，x:y的比例為0.1:10至0.1:20。

4.依據權利要求1所述的隨機動態處理存儲器元件，其特征在于，x在該復合層結構的該底部為20并逐漸地往該頂部遞減至為0.1，y在該復合層結構的該底部為0.1，并逐漸地往該頂部遞增至為20。

5.依據權利要求1所述的隨機動態處理存儲器元件，其特征在于，還包含:

至少一存儲節點，設置在該字符線兩側的該基底上。

6.依據權利要求5所述的隨機動態處理存儲器元件，其特征在于，該存儲節點包含另一阻障層，該另一阻障層具有另一復合層結構，該另一復合層結構包含TiSi_aN_b，該另一復合層結構的底部的硅含量較高且該另一復合層結構的頂部的氮含量較高。

7.依據權利要求6所述的隨機動態處理存儲器元件，其特征在于，在該另一復合層結構的該底部中，a:b的比例為10:0.1至20:0.1，在該另一復合層結構的頂部中，a:b的比例為0.1:10至0.1:20。

8.一種隨機動態處理存儲器元件，其特征在于包含：

多個字符線，設置在一基底的一第一溝槽內并沿著一第一方向延伸，各該字符線包含阻障層，其中該阻障層具有復合層結構，該復合層結構包含TiSi_xN_y，該復合層結構的底部的硅含量較高且該復合層結構的頂部的氮含量較高，該TiSi_xN_y包含連續且交替堆疊的多個氮化硅層及多個氮化鈦層，該些氮化硅層及該些氮化鈦層在該頂部與該底部具有不同的堆疊層數比例；以及

多個位線，設置在該些字符線上且沿著一第二方向延伸，該第二方向橫跨該第一方向。

9.依據權利要求8所述的隨機動態處理存儲器元件，其特征在于，在該復合層結構的該底部中，該氮化鈦層與該氮化硅層的數量比例為2:1至4:3。

10.依據權利要求8所述的隨機動態處理存儲器元件，其特征在于，在該復合層結構的該頂部中，該氮化硅層與該氮化鈦層的數量比例為1:5至1:10。

11.依據權利要求8所述的隨機動態處理存儲器元件，其特征在于各該字符線包含導電層，位于該阻障層之上。

12.依據權利要求8所述的隨機動態處理存儲器元件，其特征在于，各該位線包含另一導電層以及多晶硅層。

13.依據權利要求12所述的隨機動態處理存儲器元件，其特征在于還包含:

至少一接觸插塞，設置在該字符線與該位線之間。

14.依據權利要求13所述的隨機動態處理存儲器元件，其特征在于，該接觸插塞與該多晶硅層一體成型。