[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件的制造方法及襯底處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610842305.6
• 申請(qǐng)日: 2016-09-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107610995B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 竹田剛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社國(guó)際電氣
• 主分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

將襯底搬入處理室的工序；

向所述襯底供給處理氣體的工序；

將向所述襯底供給的氣體排氣的工序；

處理工序，其包括第一測(cè)定工序和第二測(cè)定工序，所述第一測(cè)定工序?yàn)閷⒒罨蟮乃鎏幚須怏w向所述襯底供給、并測(cè)定從所述襯底脫離的雜質(zhì)的工序，所述第二測(cè)定工序?yàn)闇y(cè)定在所述第一測(cè)定工序后從所述處理室排氣的氣體的工序；

重復(fù)所述第一測(cè)定工序和所述第二測(cè)定工序、并基于在所述第一測(cè)定工序生成的第一測(cè)定數(shù)據(jù)和在所述第二測(cè)定工序生成的第二測(cè)定數(shù)據(jù)來(lái)算出處理數(shù)據(jù)的工序；

結(jié)束判定工序，基于所述處理數(shù)據(jù)，進(jìn)行所述處理工序的結(jié)束判定。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在所述結(jié)束判定工序之前，具有基于所述處理數(shù)據(jù)，調(diào)整在所述第一測(cè)定工序中向所述氣體供給的電力的工序。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述第一測(cè)定工序中，在所述排氣的工序期間對(duì)從所述處理室排氣的氣體被導(dǎo)入到測(cè)定腔室中的氣體進(jìn)行分析。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述第一測(cè)定工序中，在所述排氣的工序期間對(duì)從所述處理室排氣的氣體被導(dǎo)入到測(cè)定腔室中的氣體進(jìn)行分析。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述第一測(cè)定工序中，在供給活化后的所述處理氣體期間，對(duì)所述處理室內(nèi)的所述雜質(zhì)的等離子體發(fā)光的強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)定。

6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述第一測(cè)定工序中，在供給活化后的所述處理氣體期間，對(duì)所述處理室內(nèi)的所述雜質(zhì)的等離子體發(fā)光的強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)定。

7.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述第一測(cè)定工序中，在供給活化后的所述處理氣體期間，對(duì)所述處理室內(nèi)的所述雜質(zhì)的等離子體發(fā)光的強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)定。

8.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述第一測(cè)定工序中，在供給活化后的所述處理氣體期間，對(duì)所述處理室內(nèi)的所述雜質(zhì)的等離子體發(fā)光的強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)定。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

在供給活化后的所述處理氣體之前和之后，進(jìn)行測(cè)定所述襯底的應(yīng)力的工序，基于供給活化后的所述處理氣體之前和之后的應(yīng)力數(shù)據(jù)，結(jié)束所述處理工序的工序。

10.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

在供給活化后的所述處理氣體之前和之后，進(jìn)行測(cè)定所述襯底的應(yīng)力的工序，基于供給活化后的所述處理氣體之前和之后的應(yīng)力數(shù)據(jù)，結(jié)束所述處理工序的工序。

11.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

在供給活化后的所述處理氣體之前和之后，進(jìn)行測(cè)定所述襯底的應(yīng)力的工序，基于供給活化后的所述處理氣體之前和之后的應(yīng)力數(shù)據(jù)，結(jié)束所述處理工序的工序。

12.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

在供給活化后的所述處理氣體之前和之后，進(jìn)行測(cè)定所述襯底的應(yīng)力的工序，基于供給活化后的所述處理氣體之前和之后的應(yīng)力數(shù)據(jù)，結(jié)束所述處理工序的工序。