[發明專利]一種MEMS器件及其制備方法和電子裝置

在審

• 申請號: 201610841493.0
• 申請日: 2016-09-22
• 公開（公告）號: CN107857232A
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 張先明;豆峰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 高偉,馮永貞

1.一種MEMS器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一晶圓，在所述第一晶圓上形成有目標厚度的熱氧化物材料層；

圖案化所述第一晶圓和所述熱氧化物材料層，以在所述第一晶圓中形成空腔；

提供第二晶圓并將所述第二晶圓與所述熱氧化物材料層相接合，以密閉所述空腔。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述熱氧化物材料層的厚度小于1μm。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二晶圓包括絕緣體上硅晶圓。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述絕緣體上硅晶圓包括自上而下的體硅、氧化物埋層和頂層硅，所述頂層硅與所述熱氧化物材料層相接合。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還進一步包括將所述第二晶圓中的所述體硅打薄的步驟。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，將所述第二晶圓打薄至15-25um。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還進一步包括蝕刻所述第二晶圓去除所述體硅和氧化物埋層的步驟。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，使用TMAH濕法蝕刻所述第二晶圓以去除所述體硅和氧化物埋層。

9.一種通過權利要求1至8之一所述方法制備得到的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：

第一晶圓；

熱氧化物材料層，位于所述第一晶圓上；

第二晶圓，與所述熱氧化物材料層相接合。

10.根據權利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述熱氧化物材料層的厚度小于1μm。

11.根據權利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一晶圓和所述第二晶圓之間還形成有若干空腔。

12.一種電子裝置，包括權利要求9至11之一所述的MEMS器件。