[發(fā)明專利]具有單列直插引線模塊的半導體功率器件及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610839778.0 | 申請日: | 2016-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN107546191B | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 薛彥迅;牛志強 | 申請(專利權)人: | 萬國半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/492;H01L23/495;H01L27/088;H01L21/56;H01L21/8234;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 董科 |
| 地址: | 美國加利福尼亞州940*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 單列 引線 模塊 半導體 功率 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導體功率器件包括:
一個引線框單元,具有頂面,以及與頂面相對的底面;
多組單列直插引線組,位于引線框單元側邊附近排成一列,每組單列直插引線組包括多數個單列直插引線;
多個半導體芯片堆棧,每個半導體芯片堆棧都包括
一個具有頂面和底面的高端半導體芯片,高端半導體芯片的底面通過第一層導電接合材料,連接到引線框單元的頂面;
一個具有第一端和第二端的第一夾片,第一夾片的第一端的底面通過第二層導電接合材料,連接到高端半導體芯片頂面上的源極墊,第一夾片的第二端底面通過第三層導電接合材料,連接到多組單列直插引線組中對應的一組單列直插引線組中的第一引線的頂面;以及
一個具有頂面和底面的低端半導體芯片,低端半導體芯片的底面通過第四層導電接合材料,連接到第一夾片第一端的頂面;以及
成型封裝;
其中所述的多個半導體芯片堆棧中的每個低端半導體芯片的頂面上的源極墊都接地;并且
其中所述的多個半導體芯片堆棧中的每個高端和低端半導體芯片和第一夾片,以及至少部分引線框單元都嵌入在成型封裝中。
2.根據權利要求1所述的半導體功率器件,其中所述的多個半導體芯片堆棧的每個堆棧都包括
一個具有第一端和第二端的第二夾片,第二夾片第一端的底面通過第五層導電接合材料,連接到低端半導體芯片頂面上的源極墊,第二夾片第二端的底面通過第六層導電接合材料,連接到多組單列直插引線組中對應的單列直插引線組中的第二引線頂面;
其中第二引線為接地引線;并且
其中至少部分第二夾片嵌入在成型封裝中。
3.根據權利要求2所述的半導體功率器件,其中第一接合引線將高端半導體芯片的柵極墊連接到多組單列直插引線組中對應的單列直插引線組中的第三引線;并且
其中第二接合引線將低端半導體芯片的柵極墊連接到多組單列直插引線組中對應的單列直插引線組中的第四引線。
4.根據權利要求2所述的半導體功率器件,其中引線框單元的底面從成型封裝中裸露出來。
5.根據權利要求2所述的半導體功率器件,其中第二夾片的頂面從成型封裝中裸露出來。
6.根據權利要求2所述的半導體功率器件,其中橋接結構將第二夾片的第一端連接到第二夾片的第二端;并且
其中橋接結構具有一個凹槽。
7.根據權利要求1所述的半導體功率器件,包括一個連接夾片,將多個半導體芯片堆棧的每個低端半導體芯片頂面上的源極墊都連接到多個單列直插引線組中的接地引線。
8.根據權利要求7所述的半導體功率器件,其中連接夾片的頂面從成型封裝中裸露出來。
9.一種用于制備半導體功率器件的方法,該方法包括以下步驟:
制備一個具有多個引線框單元的引線框帶;
在每個引線框單元側邊附近制備多組單列直插引線組,所述的多組單列直插引線組排列成行,每組單列直插引線組
包括多數個單列直插引線;
將多個高端半導體芯片的底面,通過第一層導電接合材料,連接到所述的每個引線框單元的頂面;
將多個第一夾片的第一端的底面分別連接到對應的多個高端半導體芯片的頂面,將多個第一夾片的第二端的底面分別連接到對應的更多組單列直插引線組中的第一引線頂面;
將多個低端半導體芯片的底面,分別連接到對應的所述多個第一夾片的第一端;
將多個低端半導體芯片的每個頂面上的源極墊電連接到接地端;
封裝成型,覆蓋引線框帶的頂面,所述多個高端半導體芯片連接到所述的每個引線框單元,多個第一夾片分別連接到對應的多個高端半導體芯片多個低端半導體芯片分別連接到對應的多個第一夾片;并且
分割引線框帶和封裝,制成半導體功率器件;
其中每個半導體功率器件都具有多個高端半導體芯片。
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