[發(fā)明專利]一種通過界面調(diào)控法制備溶劑化納米晶熱電薄膜的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610839195.8 | 申請日： | 2016-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN106328801B | 公開（公告）日： | 2019-03-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 唐智勇;丁德芳 | 申請（專利權(quán)）人： | 國家納米科學中心 |
| 主分類號： | H01L35/34 | 分類號： | H01L35/34;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 鞏克棟;侯桂麗 |
| 地址： | 100190 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 通過 界面 調(diào)控 法制 溶劑 納米 熱電 薄膜 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L35-00 包含有一個不同材料結(jié)點的熱電器件，即顯示出具有或不具有其他熱電效應或其他熱磁效應的Seebeck效應或Peltier 效應的熱電器件；專門適用于制造或處理這些熱電器件或其部件的方法或設(shè)備；這些熱電器件
H01L35-02 .零部件
H01L35-12 .結(jié)點引出線材料的選擇
H01L35-28 .只利用Peltier或Seebeck效應進行工作的
H01L35-34 .專門適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L35-30 ..按在結(jié)點處進行熱交換的方法區(qū)分的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L35-00 包含有一個不同材料結(jié)點的熱電器件，即顯示出具有或不具有其他熱電效應或其他熱磁效應的Seebeck效應或Peltier 效應的熱電器件；專門適用于制造或處理這些熱電器件或其部件的方法或設(shè)備；這些熱電器件
H01L35-02 .零部件
H01L35-12 .結(jié)點引出線材料的選擇
H01L35-28 .只利用Peltier或Seebeck效應進行工作的
H01L35-34 .專門適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L35-30 ..按在結(jié)點處進行熱交換的方法區(qū)分的
