[發明專利]重復使用于制造發光元件的基板的方法

有效

• 申請號: 201610837488.2
• 申請日: 2016-09-21
• 公開（公告）號: CN106972082B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 李世昌;李榮仁;陳孟揚
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種重復使用于制造發光元件的基板的方法，其包含步驟︰

(a)提供一基板；

(b)形成一成核層于該基板上；

(c)形成一犧牲層于該成核層上；

(d)形成一半導體疊層于該成核層上；以及

(e)分離該半導體疊層與該成核層，直接裸露該成核層的一頂表面。

2.如權利要求1所述的方法，其中該步驟(e)是通過移除該犧牲層。

3.如權利要求1所述的方法，在該步驟(e)之后，還包含處理該成核層的該頂表面。

4.如權利要求1所述的方法，在該步驟(e)之后，還包含形成一保護層于該成核層之上。

5.如權利要求4所述的方法，其中該保護層或該犧牲層包含三族砷化物。

6.如權利要求4所述的方法，還包含移除該保護層以裸露該成核層的該頂表面。

7.如權利要求6所述的方法，在移除該保護層之后，還包含處理該成核層裸露的該頂表面。

8.如權利要求1所述的方法，其還包含重復該步驟(c)至(e)。

9.如權利要求1所述的方法，其中該成核層具有一厚度，該厚度介于3納米至1500納米之間。

10.如權利要求1所述的方法，其中，該半導體疊層包含一接觸層具有高于1×10¹⁸/cm³的摻雜濃度。

11.如權利要求1所述的方法，其中該犧牲層包含Al_xGa_1-xAs，其中0≤x≤1。

12.如權利要求1所述的方法，其中該成核層包含(Al_yGa_(1-y))_1-xIn_xP，其中0≤x≤1以及0≤y≤1。

13.如權利要求12所述的方法，其中0.4≤x≤0.6以及0≤y≤0.6。

14.如權利要求1所述的方法，其中該犧牲層有一厚度，該厚度介于10納米至1000納米之間。

15.如權利要求4所述的方法，其中該保護層包含多層。

16.如權利要求6所述的方法，其中移除該保護層是通過一蝕刻液，該蝕刻液包含檸檬酸(citric acid)以及雙氧水(H₂O₂)的混和溶液或是包含雙氧水(H₂O₂)以及氨水(NH₄OH)的混合溶液。

17.如權利要求1所述的方法，另包含形成一反射系統于半導體疊層上。

18.如權利要求17所述的方法，另包含將一支撐基板接合于該反射系統上。

19.如權利要求18所述的方法，另包含通過一連接層連接該支撐基板至該反射系統。

20.如權利要求1所述的方法，其中，該半導體疊層發出一具有主波長的輻射，該主波長介于550nm(含)至680nm(含)之間。

21.如權利要求1所述的方法，其中，該半導體疊層另包含一蝕刻停止層，具有不同于該犧牲層的材料的組成或組成比例。