[發明專利]一種氧化鐿光子晶體選擇性輻射器

有效

• 申請號: 201610836245.7
• 申請日: 2016-09-21
• 公開（公告）號: CN106229372B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 李秀東;譚永勝;方澤波
• 申請（專利權）人: 紹興文理學院
• 主分類號: H01L31/055
• 分類號: H01L31/055;G02B6/122
• 代理公司: 紹興市越興專利事務所(普通合伙)33220
• 代理人: 蔣衛東

1.一種氧化鐿光子晶體選擇性輻射器，其特征在于：包括基體材料和沉積在基體材料上的氧化鐿薄膜，所述的基體材料為碳化硅，所述的氧化鐿薄膜表面通過光刻刻蝕出周期性孔洞整列，形成二維光子晶體；

所述氧化鐿薄膜的厚度為1微米～50微米。

2.根據權利要求1所述的氧化鐿光子晶體選擇性輻射器，其特征在于：所述氧化鐿薄膜的厚度為10微米～30微米。

3.根據權利要求1所述的氧化鐿光子晶體選擇性輻射器，其特征在于：所述周期性孔洞在表面構成二維正方點陣結構或二維六角點陣結構。

4.根據權利要求1所述的氧化鐿光子晶體選擇性輻射器，其特征在于：所述周期性孔洞的間距為1微米～2微米。

5.根據權利要求1所述的氧化鐿光子晶體選擇性輻射器，其特征在于：所述氧化鐿薄膜表面的孔洞大小相等，且周期性孔洞的直徑為0.6微米～1微米。

6.根據權利要求1所述的氧化鐿光子晶體選擇性輻射器，其特征在于：所述周期性孔洞的深度0.1微米～5微米。