[發(fā)明專利]光電子器件和用于制造光電子器件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610835762.2
• 申請(qǐng)日: 2012-06-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107104097B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 西蒙·耶雷比奇;埃里克·海涅曼;馬庫(kù)斯·平德?tīng)?/a>;邁克爾·貝什泰萊;揚(yáng)·馬費(fèi)爾德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/075
• 分類號(hào): H01L25/075;H01L33/50;H01L33/60
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;周濤

本發(fā)明涉及光電子器件和用于制造光電子器件的方法。該光電子器件(100)具有：襯底(102)，在所述襯底(102)上設(shè)置的半導(dǎo)體芯片(104)，設(shè)置在所述襯底(102)上的能潤(rùn)濕的吸引子元件(106a，106b，106c，106d)，和具有顏料(110)的介質(zhì)(108)，其中所述介質(zhì)至少局部覆蓋所述襯底(102)的空出的區(qū)域，所述空出的區(qū)域沒(méi)有被所述半導(dǎo)體芯片(104)和所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)所遮蓋，所述介質(zhì)至少部分地潤(rùn)濕所述半導(dǎo)體芯片(104)和所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)，并且所述吸引子元件具有限界元件和內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明申請(qǐng)是于申請(qǐng)日為2012年6月27日提交的、申請(qǐng)?zhí)枮?01280036001.0(國(guó)際申請(qǐng)?zhí)枮镻CT/EP2012/062465)以及發(fā)明名稱為“光電子器件和用于制造光電子器件的方法”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種光電子器件和一種用于制造這種器件的方法。

背景技術(shù)

光電子器件具有可發(fā)射電磁輻射的半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片可以設(shè)置在吸收光的襯底上。為了改進(jìn)或者改變襯底的反射特性，可以用引入有顏料的介質(zhì)覆蓋襯底的空出的區(qū)域。半導(dǎo)體芯片可以通過(guò)具有顏料的介質(zhì)來(lái)潤(rùn)濕。特別地，可以潤(rùn)濕半導(dǎo)體芯片的側(cè)面。在潤(rùn)濕時(shí)，半導(dǎo)體芯片的側(cè)面由于表面張力而將介質(zhì)上拉。這會(huì)引起介質(zhì)在襯底上不均勻的層厚度，其中介質(zhì)的厚度隨著距半導(dǎo)體芯片的間距上升而下降。介質(zhì)的小厚度會(huì)是不利的，因?yàn)殡S著用顏料填充的介質(zhì)的厚度下降使光電子器件的反射特性變差并且進(jìn)而使光電子器件的效率變差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是，提出一種光電子器件以及一種用于制造這種光電子器件的方法，其提供在襯底上有足夠厚度的以顏料填充的介質(zhì)，使得光電子器件的反射特性并且進(jìn)而光電子器件的效率具有足夠的品質(zhì)。

所述目的通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所述的光電子器件和通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所述的用于制造這種光電子器件的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。

光電子器件的和用于制造光電子器件的方法的有利的設(shè)計(jì)方案和改進(jìn)方案在如下描述中予以說(shuō)明。

不同的實(shí)施形式具有帶有半導(dǎo)體芯片的光電子器件，所述半導(dǎo)體芯 片設(shè)置在襯底上。在襯底上設(shè)置有可潤(rùn)濕的吸引子元件。具有顏料的介質(zhì)至少局部覆蓋襯底的空出的區(qū)域，所述空出的區(qū)域沒(méi)有被半導(dǎo)體芯片和吸引子元件所遮蓋。介質(zhì)至少部分潤(rùn)濕半導(dǎo)體芯片和吸引子元件。介質(zhì)在襯底上的厚度通過(guò)使用吸引子元件來(lái)增大。由此，相對(duì)于沒(méi)有吸引子元件的實(shí)施形式改善該光電子器件的反射特性。因此，提高光電子器件的效率。換言之，降低襯底對(duì)光電子器件的光學(xué)特性的負(fù)面影響。

可以使用陶瓷襯底、金屬芯電路板、引線框或塑料疊層作為襯底。塑料疊層由具有金屬化部的玻璃纖維強(qiáng)化的塑料構(gòu)成。上述全部襯底類型至少部分吸收光。

半導(dǎo)體芯片可以如吸引子元件那樣通過(guò)具有顏料的介質(zhì)來(lái)潤(rùn)濕。通過(guò)液態(tài)介質(zhì)的表面張力將介質(zhì)在半導(dǎo)體芯片的側(cè)面上上拉。半導(dǎo)體芯片的背離襯底的、吸收光的表面在此不允許被介質(zhì)潤(rùn)濕。

在一種優(yōu)選的實(shí)施形式中，半導(dǎo)體芯片基于III-V族化合物半導(dǎo)體材料、尤其基于氮化鎵(GaN)。半導(dǎo)體芯片具有發(fā)射電磁輻射的至少一個(gè)有源區(qū)。有源區(qū)可以是pn結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)、多量子阱結(jié)構(gòu)(MQW)、單量子阱結(jié)構(gòu)(SQW)。量子阱結(jié)構(gòu)指的是：量子阱(三維)、量子線(二維)和量子點(diǎn)(一維)。

在一種優(yōu)選的實(shí)施形式中，半導(dǎo)體芯片構(gòu)成為表面發(fā)射體、尤其構(gòu)成為所謂的薄膜芯片。薄膜芯片例如從公開(kāi)文獻(xiàn)WO2005081319A1中已知。

在一種優(yōu)選的實(shí)施形式中，介質(zhì)具有硅樹(shù)脂。硅樹(shù)脂具有低表面張力。因此，硅樹(shù)脂具有良好的可潤(rùn)濕性。硅樹(shù)脂是透明的、輻射穩(wěn)定的和熱穩(wěn)定的。尤其優(yōu)選的是，化合物材料具有軟的硅樹(shù)脂。軟的硅樹(shù)脂具有大致邵氏硬度20至大致邵氏硬度60的硬度。軟的硅樹(shù)脂具有高的熱穩(wěn)定性、高的輻射穩(wěn)定性和高的斷裂伸長(zhǎng)率，由此使硅樹(shù)脂中形成斷裂的風(fēng)險(xiǎn)最小化。