[發明專利]用于制造具有隧道電介質層的太陽能電池的方法

在審

• 申請號: 201610834756.5
• 申請日: 2011-04-27
• 公開（公告）號: CN106847937A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 蒂姆·丹尼斯;斯科特·哈林頓;簡·曼寧;大衛·史密斯;安·瓦爾德豪爾
• 申請（專利權）人: 太陽能公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0368;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 顧麗波,李榮勝

1.一種制造太陽能電池的方法，所述方法包括：

將太陽能電池的襯底的表面暴露于濕化學溶液，以在所述襯底的表面上提供硅氧化物層；以及

在干燥氣氛中以接近或超過900攝氏度的溫度加熱所述硅氧化物層，以將所述硅氧化物層轉換成太陽能電池的隧道電介質層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在制造過程中僅將所述硅氧化物層暴露于接近或超過900攝氏度的溫度一次。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述濕化學溶液包括從臭氧(O₃)和過氧化氫(H₂O₂)構成的組中選擇的氧化劑。

4.根據權利要求3所述的方法，其中在暴露過程中將所述濕化學溶液和所述襯底的表面暴露于可見光輻射。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在暴露步驟之后以及在加熱步驟之前，將所述硅氧化物層從低于500攝氏度的溫度加熱到大約565攝氏度的溫度，然后冷卻至低于500攝氏度的溫度。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底為體硅襯底。

7.一種制造太陽能電池的方法，所述方法包括：

在低于600攝氏度的溫度下，通過熱氧化消耗太陽能電池的襯底的一部分來提供所述襯底的表面氧化物層；以及

在干燥氣氛中以接近或超過900攝氏度的溫度加熱所述表面氧化物層，以將所述表面氧化物層轉換成太陽能電池的隧道電介質層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中在制造過程中僅將所述表面氧化物層暴露于接近或超過900攝氏度的溫度一次。

9.根據權利要求7所述的方法，其中所述表面氧化物層是通過低壓熱氧化工藝形成的。

10.根據權利要求9所述的方法，其中在含氧(O₂)氣氛中大約在500-580攝氏度范圍內的溫度下執行低壓熱氧化工藝。

11.根據權利要求7所述的方法，其中所述襯底包括硅，并且所述氧化物層包括氧化硅。

12.根據權利要求7所述的方法，其中所述襯底為體硅襯底。

13.根據權利要求7所述的方法，還包括：

在形成步驟之后以及在加熱步驟之前，將所述表面氧化物層從低于500攝氏度的溫度加熱到大約565攝氏度的溫度，然后冷卻至低于500攝氏度的溫度。

14.一種制造太陽能電池的方法，所述方法包括：

在第一溫度下通過熱氧化來形成布置在襯底上的表面氧化物層；以及

將所述表面氧化物層從低于500攝氏度的溫度加熱到高于500攝氏度的第二溫度，其中所述第一溫度和所述第二溫度大致相同。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述第一溫度和所述第二溫度大約為565攝氏度。

16.根據權利要求14所述的方法，其中所述表面氧化物層是通過低壓熱氧化工藝形成的。

17.根據權利要求14所述的方法，其中在含氧(O₂)氣氛中執行低壓熱氧化工藝。

18.根據權利要求14所述的方法，其中所述襯底包括硅，并且所述氧化物層包括氧化硅。

19.根據權利要求14所述的方法，還包括：在加熱過程中形成多晶硅層。

20.根據權利要求19所述的方法，還包括：在所述多晶硅層上形成金屬觸點。