[發明專利]影像感測裝置有效
| 申請號: | 201610834254.2 | 申請日: | 2016-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN107464821B | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發明(設計)人: | 林國峰;蕭玉焜;謝錦全 | 申請(專利權)人: | 采鈺科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 馮志云;王芝艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像 裝置 | ||
一種影像感測裝置,包括:一半導體基板;一被動層;以及一集光元件。該半導體基板包括一感光元件,而該被動層設置于該半導體基板上。該集光元件設置于該被動層上,且包括一第一回圈、一第二回圈、與一第三回圈。該第一回圈具有一第一寬度。該第二回圈環繞該第一回圈,且具有少于該第一寬度的一第二寬度。該第三回圈環繞該第一回圈與該第二回圈,且具有少于該第一寬度與該第二寬度的一第三寬度。該集光元件對準該感光元件,且該第一回圈、該第二回圈與該第三回圈包括不同的折射率。
技術領域
本發明涉及影像感測裝置(image sensing devices),且特別涉及具有較佳量子效率(quantum efficiency)的一種影像感測裝置。
背景技術
影像感測裝置為當今如數位相機、行動電話以及玩具等眾多光電裝置內的必要構件之一。傳統影像感測裝置則包括電耦合裝置(charge coupled device,CCD)影像感測裝置與互補型金屬氧化物半導體(complementary metal oxide oxide,CMOS)影像感測裝置。
影像感測裝置通常包括了平面陣列化的多個像素胞(pixel cells),其中各像素胞包括了一光電管(photogate)、一光導體(photoconductor)或具有用于累積光電電荷用的摻雜區的一感光二極體(photodiode)。于此平面陣列化的像素胞上則疊設有由如紅(R)、綠(G)或藍(B)的不同色彩的染料所構成的周期性圖樣(periodic pattern)。上述的周期性圖樣即為公知的彩色濾光陣列(color filter array)。于彩色濾光陣列上則選擇性地疊設有多個方形或圓形的微透鏡(microlens)以聚焦入射光于各像素胞內的電荷累積區處。通過微透鏡的使用可顯著地改善了影像感測器的感測度。
然而,由于穿透微透鏡的入射光并無法聚焦于此些像素胞之一的深部區域(deepregion),如此多少限制了影像感測裝置內像素胞的量子效率(quantum efficiency)而無法通過微透鏡的使用而提升之。如此,恐限制了像素胞的量子效率及像素胞的感測度。
發明內容
如此,便需要一種影像感測裝置,以改善影像感測裝置的量子效率與感測度。
依據一實施例,本發明提供了一種影像感測裝置,包括:一半導體基板;一被動層;以及一集光元件。該半導體基板包括一感光元件,而該被動層設置于該半導體基板上。該集光元件設置于該被動層上,且包括一第一回圈、一第二回圈、與一第三回圈。該第一回圈具有一第一寬度。該第二回圈環繞該第一回圈,且具有少于該第一寬度的一第二寬度。該第三回圈環繞該第一回圈與該第二回圈,且具有少于該第一寬度與該第二寬度的一第三寬度。該集光元件對準該感光元件,且該第一回圈、該第二回圈與該第三回圈包括不同的折射率。
附圖說明
圖1為一剖面示意圖,顯示依據本發明的一實施例的一影像感測裝置;
圖2顯示了圖1的影像感測裝置的模擬電場影像;
圖3為一上視示意圖,顯示了圖1內的影像感測裝置;
圖4為一剖面示意圖,顯示依據本發明的另一實施例的一影像感測裝置;
圖5為一上視示意圖,顯示了圖4內的影像感測裝置;
圖6為一剖面示意圖,顯示依據本發明的又一實施例的一影像感測裝置;
圖7顯示了圖6的影像感測裝置的模擬電場影像;
圖8為一上視示意圖,顯示了圖6內的影像感測裝置;
圖9為一剖面示意圖,顯示依據本發明的另一實施例的一影像感測裝置;
圖10為一上視示意圖,顯示了圖9內的影像感測裝置;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





