[發明專利]一種ONO多晶硅間介質層結構及制備方法在審
| 申請號： | 201610833495.5 | 申請日： | 2016-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN106206747A | 公開（公告）日： | 2016-12-07 |
| 發明（設計）人： | 盧普生;陳昊瑜;姬峰 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/788 | 分類號： | H01L29/788;H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;陳慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ono 多晶 介質 結構 制備 方法 | ||
【說明書】：
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