[發明專利]低滲透性電饋通

有效

• 申請號: 201610833211.2
• 申請日: 2016-09-19
• 公開（公告）號: CN106971745B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: T.R.阿爾布雷克特;D.阿明-沙希德;V.阿亞諾爾-威蒂凱特;平野敏樹
• 申請（專利權）人: HGST荷蘭公司
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;G11B33/12;H05K1/11;H05K3/40;H01R13/52
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種電饋通，配置為介于氣密密封環境與外部環境之間，所述饋通包含：

第一擴散控制層，沿外部環境區域從附接區域不間斷地延伸一距離；

在所述第一擴散控制層的頂部上的第一絕緣體層，所述第一絕緣體層包括在設置于密封區域內的第一通孔和設置于所述密封區域之外的所述外部環境區域內的第二通孔之間延伸的一部分；

在所述第一絕緣體層的頂部上的導體層，所述導體層電連接所述第一通孔和所述第二通孔；

在所述導體層的頂部的第二絕緣體層；以及

在所述第二絕緣體層的頂部上的第二擴散控制層，所述第二擴散控制層不間斷地延伸跨過所述電饋通的大部分長度，但未接觸所述第二通孔，

其中所述第一擴散控制層、所述第一絕緣體層、所述第二絕緣體層，以及所述第二擴散控制層在所述密封區域與所述外部環境區域之間形成高深寬比的擴散通道。

2.如權利要求1所述的電饋通，

其中所述擴散通道具有深寬比，所述深寬比為所述擴散通道的寬度與所述第一絕緣體層和所述第二絕緣體層的高度的總和的比值；以及

其中，對于所述密封環境內的氣體的目標泄漏率，所述擴散通道的所述深寬比大于以下項的乘積：(a)代表所述氣體的滲透性的常數，(b)所述擴散通道的通道周長長度，以及(c)所述氣體沿所述擴散通道的所述寬度的壓力降與所述目標泄漏率的比值。

3.如權利要求1所述的電饋通，其中所述第一通孔包含通路孔，并且其中所述通路孔完全設置在所述密封區域內。

4.如權利要求1所述的電饋通，其中所述第二通孔包含通路孔，并且其中所述通路孔完全設置在所述外部環境區域內。

5.如權利要求1所述的電饋通，還包含：

至少一對電連接墊，包含位于所述密封區域內的下部電連接墊和位于所述外部環境區域內的上部電連接墊。

6.如權利要求5所述的電饋通，其中通過所述第一通孔、所述導體層，以及所述第二通孔，將所述下部電連接墊和所述上部電連接墊電連接。

7.如權利要求1所述的電饋通，其中所述第一擴散控制層和所述第二擴散控制層由金屬構成。

8.如權利要求1所述的電饋通，其中所述第一擴散控制層和所述第二擴散控制層中的至少一個由低滲透性電介質材料構成。

9.如權利要求1所述的電饋通，其中所述第一擴散控制層和所述第二擴散控制層中的至少一個由玻璃構成。

10.如權利要求1所述的電饋通，還包含：

第三通孔，設置在所述密封區域內，并且電連接下部電連接墊與上部電連接墊之間的高頻信號傳輸線，其中設置所述第三通孔使得所述高頻信號傳輸線不布線在所述第一擴散控制層和所述第二擴散控制層之間。

11.如權利要求1所述的電饋通，還包含：

設置在所述第二擴散控制層的至少一部分之上的玻璃層。