[發明專利]零溫度系數電阻組件及其制造方法

有效

• 申請號: 201610832910.5
• 申請日: 2016-09-20
• 公開（公告）號: CN107785351B
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發明（設計）人: 溫文瑩;趙基宏;潘欽寒
• 申請（專利權）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L21/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 姚亮

1.一種零溫度系數電阻組件，包括：

半導體基板；

第一介電層，位于所述半導體基板上；

第一氮化鈦層，經過一熱處理具有負溫度系數，位于所述第一介電層上；

第二介電層，位于所述第一氮化鈦層上；

導電結構，內埋于所述第二介電層中；以及

第二氮化鈦層，具有正溫度系數，位于所述第二介電層上，其中所述第二氮化鈦層與所述第一氮化鈦層連接。

2.根據權利要求1所述的零溫度系數電阻組件，其中，所述第一介電層的材料包括四乙氧基硅烷。

3.根據權利要求1所述的零溫度系數電阻組件，其中，所述第二介電層的材料包括硼摻雜磷-硅玻璃。

4.一種零溫度系數電阻組件的制造方法，包括：

提供半導體基板；

形成第一介電層在所述半導體基板上；

形成第一氮化鈦層在所述第一介電層上；

形成第二介電層在所述第一氮化鈦層上；

對所述第二介電層實施熱處理，使第一氮化鈦層具有負溫度系數；

形成導電結構在所述第二介電層中；以及

形成第二氮化鈦層在所述第二介電層上，其中所述第二氮化鈦層與所述第一氮化鈦層連接；并且，第二氮化鈦層具有正溫度系數。

5.根據權利要求4所述的零溫度系數電阻組件的制造方法，其中，所述第一介電層的材料包括四乙氧基硅烷。

6.根據權利要求4所述的零溫度系數電阻組件的制造方法，其中，所述第二介電層的材料包括硼摻雜磷-硅玻璃。

7.根據權利要求4所述的零溫度系數電阻組件的制造方法，其中，所述熱處理的溫度范圍為460-900℃。

8.一種零溫度系數電阻組件的制造方法，包括：

提供半導體基板；

形成閘極結構在所述半導體基板上，所述閘極結構具有正溫度系數；

形成電阻層在所述閘極結構上；所述電阻層的材料為經過熱處理具有負溫度系數的氮化鈦；

形成介電層在所述電阻層上；以及

對所述介電層實施熱處理。

9.根據權利要求8所述的零溫度系數電阻組件的制造方法，其中，所述閘極結構包括多晶硅層和金屬硅化物層，且所述電阻層和所述金屬硅化物層連接。

10.根據權利要求8所述的零溫度系數電阻組件的制造方法，其中，所述介電層的材料包括硼摻雜磷-硅玻璃、硼-硅玻璃、四乙氧基硅烷、旋涂式玻璃、常壓化學氣相沉積氧化物或前述材料的組合。

11.根據權利要求8所述的零溫度系數電阻組件的制造方法，其中，所述熱處理的溫度范圍為460-900℃。