[發(fā)明專利]一種石墨烯的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610832594.1
• 申請日: 2016-09-19
• 公開（公告）號: CN107840325B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設計）人: 盛晨航;亢澎濤
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: C01B32/186
• 分類號: C01B32/186
• 代理公司: 上海隆天律師事務所 31282
• 代理人: 臧云霄;胡潔

1.一種石墨烯的制備方法，用于將所述石墨烯層轉(zhuǎn)移到一器件上，

其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

1)提供基板，在所述基板之上沉積一層金屬氧化物層；

2)在所述金屬氧化物層之上沉積一層第一金屬層，并且對所述第一金屬層進行圖案化；

3)在圖案化后的所述第一金屬層上沉積石墨烯層；

4)將所述石墨烯層與所述器件的待轉(zhuǎn)移石墨烯層的界面進行對位；再采用激光打斷位于所述基板與所述第一金屬層之間的任意兩層之間的鏈接，從而使得所述石墨烯層對應地轉(zhuǎn)移到所述界面上；以及

5)將所述石墨烯層的位于所述第一金屬層一側(cè)的部分全部去除，僅保留所述石墨烯層在所述器件上。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：

所述第一金屬層所采用的材料選自Cu、Ni、Pt、Ir或Ru中的任意一種。

3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于：

所述步驟2)中，在所述第一金屬層沉積之后、圖案化之前，對所述第一金屬層的晶面進行調(diào)整至晶面指數(shù)為(111)。

4.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于：

所述第一金屬層的厚度不低于50nm且不高于100nm。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：

所述步驟2)中的圖案化是指采用光刻定義出圖案并顯影刻蝕出所需圖案。

6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：

在所述的步驟4)之前，在所述基板上形成數(shù)個第一對位標記件，在所述器件上對應地形成數(shù)個可以與所述第一對位標記件配合的第二對位標記件，

在所述的步驟4)中，將每一個所述第一對位標記件與所述第二對位標記件一一對應配合，從而實現(xiàn)所述石墨烯層與所述器件界面的對位。

7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于：

所述第一對位標記件與所述第二對位標記件的配合方式為十字型凹槽與十字型凸起的配合方式。

8.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于：

在所述步驟2)中，對所述第一金屬層進行圖案化的過程還包括在所述基板上形成數(shù)個第一對位標記件。

9.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：

所述基板為石英基板。

10.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：

所述金屬氧化物層所采用的材料選自Al₂O₃或TiO₂。

11.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：

所述制備方法還包括在步驟5)之后進行的步驟6)：在所述石墨烯層表面制作一層透明的保護固定層。

12.如權利要求11所述的制備方法，其特征在于：

所述透明的保護固定層采用聚酰亞胺或氧化硅。

13.如權利要求1至12中任意一項所述的制備方法，其特征在于：

在所述步驟1)中，在所述基板上先沉積一層第二金屬層，再在所述第二金屬層上沉積所述金屬氧化物層。

14.如權利要求13所述的制備方法，其特征在于：

所述第二金屬層所采用的材料選自Mo、Al或Ti中的任意一種。

15.如權利要求13所述的制備方法，其特征在于：

所述器件為OLED或AMOLED，所述石墨烯層轉(zhuǎn)移到所述OLED或AMOLED器件上作為導電層或者信號傳輸層；或者，

所述器件為柔性電路板，所述石墨烯層轉(zhuǎn)移到所述柔性電路板上作為導電層。

16.如權利要求1至12中任意一項所述的制備方法，其特征在于：

所述器件為OLED或AMOLED，所述石墨烯層轉(zhuǎn)移到所述OLED或AMOLED器件上作為導電層或者信號傳輸層；或者，

所述器件為柔性電路板，所述石墨烯層轉(zhuǎn)移到所述柔性電路板上作為導電層。