[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201610832387.6
• 申請日: 2016-09-19
• 公開（公告）號: CN106972087B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 坊山美鄉;戶谷真悟;河合隆
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;蘇虹

1.一種III族氮化物半導體發光器件，所述發光器件具有形成在公共的連續襯底上的多個元件區域，每個元件區域包括：

III族氮化物半導體層，所述III族氮化物半導體層由n型層、形成在所述n型層上的發光層和形成在所述發光層上的p型層形成；

溝槽，所述溝槽具有從所述p型層延伸至至少所述n型層的十字形狀；

電流阻擋層，所述電流阻擋層形成在所述p型層的除向外發光的發光區域之外的部分上；

透明電極，所述透明電極形成在所述發光區域和所述電流阻擋層上，所述透明電極的直接接觸所述p型層的區域是所述發光區域；

p電極，所述p電極形成在所述透明電極上；以及

n電極，所述n電極形成在n型層的通過從所述p型層延伸的溝槽露出的部分上；

其中圍繞作為平面圖中整個發光器件的中心的器件中心，所述元件區域被分成二乘二陣列形式的四個元件區域；

其中各個所述發光區域局限于所述元件區域的四個拐角中的一個特定拐角附近，所述特定拐角為最接近所述器件中心的拐角，每個發光區域的面積占每個元件區域面積的1％至30％；

其中在平面圖中所述p電極設置在所述發光區域與所述n電極之間，以及

其中當各個元件區域的平面圖案的面積被直線均分成靠近和遠離所述中心的兩個區域時，各個發光區域被包括在靠近整個發光器件的所述中心的區域中。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述發光區域的所有平面圖案被包括在以整個發光器件的所述中心作為圓心并且直徑為0.5mm的圓中。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中各個所述發光區域具有L形，其拐角設置在所述特定拐角附近，所述L形的兩條邊平行于所述元件區域的形成所述特定拐角的兩條邊。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其中各個所述發光區域具有四分之一圓的形狀，每個四分之一圓的頂點指向所述器件中心。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的發光器件，其中所述n電極包括設置在與所述特定拐角相對的對角附近的n焊盤和連接至所述n焊盤并沿兩條直線延伸的兩條n配線，每條所述直線平行于形成所述發光區域的所述對角的兩條邊。

6.根據權利要求1至4中任一項所述的發光器件，其中從每個所述發光區域發射的每種光具有相同的波長，并且是中心波長為490nm至570nm的綠光。

7.根據權利要求1至4中任一項所述的發光器件，所述發光器件用作使用塑料光纖的光通信用的光源。

8.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述發光區域的所有平面圖案被包括在以整個發光器件的所述中心作為圓心并且直徑為所述塑料光纖的芯直徑的一半的圓中。