[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體裝置的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610830422.0
• 申請日: 2016-09-13
• 公開（公告）號: CN106816373B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾李全;吳常明
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其包含：

(a)圖案化襯底，所述襯底經(jīng)由中間層黏合于載體襯底上，凹部位于所述襯底、所述中間層與所述載體襯底之間，其中(a)、(b)與(c)任一步驟的操作期間皆不超過0.5秒；

(b)在所述圖案化的襯底上形成聚合物層；

(c)圖案化所述聚合物層；

(d)交替重復(fù)步驟(a)、(b)與(c)；

(e)檢測等離子與步驟(a)、(b)與(c)產(chǎn)生的產(chǎn)物的反應(yīng)所發(fā)生的發(fā)射光的強度，其中所述強度的采樣速度的范圍為1pt/20ms到1pt/100ms；以及

(f)僅根據(jù)所述等離子與步驟(a)、(b)與(c)中其中之一的步驟產(chǎn)生的所述產(chǎn)物的所述反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度，確定圖案化所述襯底的終點，其中所述終點表示所述襯底經(jīng)由圖案化襯底步驟而被蝕刻至位于所述襯底、所述中間層與所述載體襯底之間的所述凹部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中根據(jù)所述等離子與步驟(a)產(chǎn)生的所述產(chǎn)物的所述反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度，確定圖案化所述襯底的所述終點。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中根據(jù)所述等離子與步驟(b)產(chǎn)生的所述產(chǎn)物的所述反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度，確定圖案化所述襯底的所述終點。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中根據(jù)所述等離子與步驟(c)產(chǎn)生的所述產(chǎn)物的所述反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度，確定圖案化所述襯底的所述終點。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述襯底的第二表面上，形成蝕刻停止層，以及從第一表面圖案化所述襯底以形成溝槽，直到所述蝕刻停止層經(jīng)由所述溝槽而暴露。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中載體襯底粘附到所述襯底的第二表面，以及從第一表面圖案化所述襯底以形成溝槽，直到所述溝槽連接到所述凹部。

7.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其包含：

(a)圖案化襯底，所述襯底經(jīng)由中間層黏合于載體襯底上，凹部位于所述襯底、所述中間層與所述載體襯底之間；

(b)在所述圖案化的襯底上形成聚合物層，其中形成聚合物層的操作期間至多為0.4秒；

(c)圖案化所述聚合物層；

(d)交替重復(fù)步驟(a)、(b)與(c)；

(e)檢測等離子與步驟(a)、(b)與(c)產(chǎn)生的產(chǎn)物的反應(yīng)所發(fā)生的發(fā)射光的強度，其中所述強度的采樣速度的范圍為1pt/20ms到1pt/100ms；以及

(f)僅根據(jù)所述等離子與步驟(a)、(b)與(c)中其中之一的步驟產(chǎn)生的所述產(chǎn)物的所述反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度，確定圖案化所述襯底的終點，其中所述終點表示所述襯底經(jīng)由圖案化襯底步驟而被蝕刻至位于所述襯底、所述中間層與所述載體襯底之間的所述凹部。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中根據(jù)所述等離子與步驟(a)產(chǎn)生的所述產(chǎn)物的所述反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度，確定圖案化所述襯底的所述終點。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中根據(jù)所述等離子與步驟(b)產(chǎn)生的所述產(chǎn)物的所述反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度，確定圖案化所述襯底的所述終點。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中根據(jù)所述等離子與步驟(c)產(chǎn)生的所述產(chǎn)物的所述反應(yīng)所發(fā)生的所述發(fā)射光的所述強度，確定圖案化所述襯底的所述終點。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中在所述襯底的第二表面上，形成蝕刻停止層，以及從第一表面圖案化所述襯底以形成溝槽，直到所述蝕刻停止層經(jīng)由所述溝槽而暴露。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中載體襯底粘附到所述襯底的第二表面，以及從第一表面圖案化所述襯底以形成溝槽，直到所述溝槽連接到所述凹部。