[發明專利]鎖存電路以及半導體存儲器裝置

有效

• 申請號: 201610829697.2
• 申請日: 2016-09-19
• 公開（公告）號: CN107045885B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 中山晶智
• 申請（專利權）人: 力晶積成電子制造股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/26
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王珊珊

1.一種鎖存電路，包括：

輸入電路，包含輸入用P溝道金屬氧化物半導體晶體管，所述輸入用P溝道金屬氧化物半導體晶體管使與來自感測放大器的感測電壓相應的信號電流流入；

第1反相器，包含第1P溝道金屬氧化物半導體晶體管、第1N溝道金屬氧化物半導體晶體管以及第1節點，所述第1節點將所述第1P溝道金屬氧化物半導體晶體管與所述第1N溝道金屬氧化物半導體晶體管予以連接，且所述第1節點連接于所述輸入電路；

第2反相器，包含第2P溝道金屬氧化物半導體晶體管、第2N溝道金屬氧化物半導體晶體管以及第2節點，所述第2節點將所述第2P溝道金屬氧化物半導體晶體管與所述第2N溝道金屬氧化物半導體晶體管予以連接；以及

簡易反相器，具有僅使所述第2節點的電壓反相的功能，

且所述第1反相器與所述第2反相器是級聯連接而構成，

所述第1反相器包含第3N溝道金屬氧化物半導體晶體管及第4N溝道金屬氧化物半導體晶體管，所述第3N溝道金屬氧化物半導體晶體管及第4N溝道金屬氧化物半導體晶體管連接于所述第1N溝道金屬氧化物半導體晶體管且彼此并聯連接，

在數據的鎖存時，所述第3N溝道金屬氧化物半導體晶體管使與偏電壓對應的基準電流流至所述第1反相器，所述第4N溝道金屬氧化物半導體晶體管在數據的鎖存時斷開，在數據的保持時導通，藉此所述鎖存電路對與所述感測電壓對應的數據進行鎖存，

其中，

所述輸入用P溝道金屬氧化物半導體晶體管及所述第3N金屬氧化物半導體晶體管具有比在所述第1P溝道金屬氧化物半導體晶體管及第2P溝道金屬氧化物半導體晶體管與所述第1N溝道金屬氧化物半導體晶體管及第2N溝道金屬氧化物半導體晶體管中能夠使用的最小的柵極長度及最小的柵極寬度大的尺寸。

2.如權利要求1所述的鎖存電路，其中

所述輸入電路還包括：

第5N溝道金屬氧化物半導體晶體管，響應重置信號來重置所述第1節點的電壓。

3.如權利要求1所述的鎖存電路，其中

所述第1反相器還包括：

第3P溝道金屬氧化物半導體晶體管，連接于所述第1P溝道金屬氧化物半導體晶體管，響應重置信號來重置所述第1節點的電壓。

4.如權利要求1所述的鎖存電路，其中

所述輸入電路還包括：

第4P溝道金屬氧化物半導體晶體管，基于數據致能信號而使所述信號電流開始流動。

5.一種半導體存儲器裝置，包括：

如權利要求1所述的鎖存電路。