[發明專利]倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查方法

有效

• 申請號: 201610829047.8
• 申請日: 2016-09-18
• 公開（公告）號: CN106611719B
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發明（設計）人: 李容在
• 申請（專利權）人: 韓華精密機械株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 11286 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 孫昌浩;李盛泉<國際申請>=<國際公布>

1.一種倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查方法，包括如下的步驟：

(a)向倒裝芯片的凸點涂覆助焊劑；

(b)識別所述倒裝芯片的凸點位置，并校正所識別的位置；

(c)向所述倒裝芯片的凸點照射具有針對所述助焊劑的吸收率高的特定區域的波長范圍的照明光；

(d)對借助所述照明光而從所述凸點反射的反射光進行拍攝而獲取視頻或圖像；

(e)基于所述獲取的視頻或圖像，設定用于檢查助焊劑涂覆狀態的搜尋區域，并獲取針對從位于所述搜尋區域內的凸點反射的反射光的視頻或圖像；

(f)讀取針對從位于所述搜尋區域內的凸點反射的反射光的視頻或圖像而檢查助焊劑針對所述倒裝芯片的凸點的涂覆狀態，

其中，檢查助焊劑的涂覆狀態的步驟包括：

提取位于所述搜尋區域內的凸點的平均光強值，并將所述提取到的平均光強值和預先設定而輸入的基準光強值進行比較，從而判斷助焊劑針對倒裝芯片的凸點的涂覆狀態的良好或不良，

所述特定區域的波長范圍是具有針對所述助焊劑的吸收率隨著波長的變化而呈現的多個峰值中的一個峰值的波長范圍。

2.如權利要求1所述的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查方法，其中，

所述搜尋區域的設定是根據所述凸點的位置經校正的信息和吸附所述倒裝芯片的吸嘴的大小信息而進行。

3.如權利要求1所述的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查方法，

如果所述預先設定而輸入的基準光強值大于所述搜尋區域內的各凸點的平均光強值，則判斷為助焊劑針對所述倒裝芯片的凸點的涂覆狀態良好。

4.如權利要求1所述的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查方法，

如果所述預先設定而輸入的基準光強值小于所述搜尋區域內的各凸點的平均光強值，則判斷為助焊劑針對所述倒裝芯片的凸點的涂覆狀態不良。

5.如權利要求1所述的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查方法，其中，

在所述搜尋區域的設定是根據所述凸點的位置經校正的信息和吸附所述倒裝芯片的吸嘴的大小信息而進行再設定。

6.如權利要求1所述的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查方法，其中，

在提取位于所述搜尋區域內的凸點的平均光強值的步驟之前輸入所述預先設定的基準光強值。

7.如權利要求1所述的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查方法，其中，

所述特定區域的波長范圍是400nm～500nm區域的波長范圍。

8.如權利要求1或權利要求7所述的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查方法，其中，

通過在所述照明光所透過的位置布置偏光膜，從而使具有所述特定區域的波長范圍的光照射。