[發明專利]鋁表面電沉積制備低吸收率與高半球發射率氧化膜的方法在審
| 申請號： | 201610828244.8 | 申請日： | 2016-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN106435685A | 公開（公告）日： | 2017-02-22 |
| 發明（設計）人： | 陳東初;倪磊;常萌蕾;魏紅陽 | 申請（專利權）人： | 佛山科學技術學院 |
| 主分類號： | C25D11/08 | 分類號： | C25D11/08;C25D9/04;C25D5/18 |
| 代理公司： | 北京精金石專利代理事務所(普通合伙)11470 | 代理人： | 劉曄 |
| 地址： | 528000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 表面 沉積 制備 吸收率 半球 發射 氧化 方法 | ||
【說明書】：
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