[發(fā)明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610827032.8
• 申請(qǐng)日: 2016-09-14
• 公開（公告）號(hào): CN107026122A
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田渕智隆;渡邊義雄;S·米蘭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類號(hào): H01L21/78
• 分類號(hào): H01L21/78
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,于靖帥

1.一種晶片的加工方法，將晶片沿著分割預(yù)定線分割成一個(gè)個(gè)的器件，該晶片在正面上呈格子狀形成有多條分割預(yù)定線并且在由該多條分割預(yù)定線劃分出的多個(gè)區(qū)域中形成有器件，該晶片的加工方法的特征在于，包含如下的工序：

改質(zhì)層形成工序，從晶片的正面或背面將聚光點(diǎn)定位在內(nèi)部而沿著分割預(yù)定線照射對(duì)于晶片具有透過性的波長(zhǎng)的激光光線，沿著分割預(yù)定線在晶片的內(nèi)部形成改質(zhì)層；

保護(hù)膜形成工序，在晶片的正面或背面上包覆水溶性樹脂而形成保護(hù)膜；

分割工序，對(duì)實(shí)施了該改質(zhì)層形成工序和該保護(hù)膜形成工序的晶片施加外力，沿著形成有改質(zhì)層的分割預(yù)定線將晶片分割成一個(gè)個(gè)的器件，并且在相鄰的器件與器件之間形成間隙；

刻蝕工序，從實(shí)施了該分割工序的晶片的該保護(hù)膜側(cè)提供等離子化后的刻蝕氣體而對(duì)殘留于器件的側(cè)面的改質(zhì)層進(jìn)行刻蝕從而去除；以及

保護(hù)膜去除工序，對(duì)實(shí)施了該刻蝕工序的器件提供水而將由水溶性樹脂構(gòu)成的該保護(hù)膜去除。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

該保護(hù)膜形成工序是在實(shí)施該改質(zhì)層形成工序之前實(shí)施的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，

在實(shí)施該保護(hù)膜形成工序和該改質(zhì)層形成工序之前，實(shí)施如下的晶片支承工序：將晶片的背面或正面粘接在粘合帶的正面上，其中，該粘合帶的外周部被安裝成覆蓋環(huán)狀的框架的內(nèi)側(cè)開口部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片的加工方法，其中，

在該分割工序中，對(duì)粘接有晶片的粘合帶進(jìn)行擴(kuò)展而對(duì)晶片施加拉力，由此沿著形成有改質(zhì)層的分割預(yù)定線將晶片分割成一個(gè)個(gè)的器件并且在相鄰的器件與器件之間形成間隙。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片的加工方法，其中，

在實(shí)施該晶片支承工序之前，實(shí)施如下的背面磨削工序：在晶片的正面上粘接保護(hù)部件并對(duì)晶片的背面進(jìn)行磨削而形成為規(guī)定的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片的加工方法，其中，

在實(shí)施該背面磨削工序之前，實(shí)施如下的保護(hù)膜形成工序：在晶片的正面上包覆水溶性樹脂而形成保護(hù)膜。