[發明專利]太陽能電池模塊有效
| 申請號: | 201610825984.6 | 申請日: | 2016-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN107039551B | 公開(公告)日: | 2018-12-14 |
| 發明(設計)人: | 禹泰基;陽惠英 | 申請(專利權)人: | LG電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05;H01L31/02 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 模塊 | ||
1.一種太陽能電池模塊,該太陽能電池模塊包括:
第一太陽能電池和第二太陽能電池,所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池各自包括半導體基板以及第一電極和第二電極,所述第一電極和所述第二電極在所述半導體基板上且具有不同的極性并且在第一方向上延伸,所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池被布置為在與所述第一方向交叉的第二方向上彼此相鄰;
多條導線,所述多條導線在所述第二方向上延伸、被設置在所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池中的每一個的所述半導體基板上并且與所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池中的每一個的所述第一電極或所述第二電極連接,以將所述第一太陽能電池與所述第二太陽能電池在所述第二方向上串聯連接,所述多條導線包括連接至所述第一太陽能電池的所述第一電極的第一導線,以及連接至所述第二太陽能電池的所述第二電極的第二導線;以及
互連件,所述互連件沿所述第一方向在所述第一太陽能電池與所述第二太陽能電池之間延伸,并且連接至所述第一太陽能電池的所述第一導線和連接至所述第二太陽能電池的所述第二導線共同被連接至所述互連件,
其中,所述多條導線包括在所述半導體基板的厚度方向上的不均勻部分,所述不均勻部分是所述導線的除了連接至所述第一電極或所述第二電極的一部分以外的剩余部分,并且
所述第一導線的不均勻部分位于所述互連件和所述第一太陽能電池之間,并且所述第二導線的不均勻部分位于所述互連件和所述第二太陽能電池之間。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,每條導線的所述不均勻部分的厚度在10%的誤差范圍內等于所述每條導線的不包括所述不均勻部分的部分的厚度。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述不均勻部分的厚度在10%的誤差范圍內在整個所述不均勻部分上是一致的。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述不均勻部分的高度大于所述不均勻部分的厚度。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述不均勻部分的截面具有鋸齒形狀。
6.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述不均勻部分位于所述第一太陽能電池的所述半導體基板與所述第二太陽能電池的所述半導體基板之間。
7.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,每條導線由于所述不均勻部分而在所述第二方向上具有柔性。
8.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述不均勻部分具有各自在所述第一方向上延伸的峰和谷。
9.根據權利要求8所述的太陽能電池模塊,其中,所述不均勻部分的從所述谷到所述峰測量的高度是0.03mm至1mm。
10.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,
所述第一導線通過導電粘合劑與所述第一太陽能電池的所述第一電極連接,并且通過絕緣層與所述第一太陽能電池的所述第二電極絕緣;以及
所述第二導線與所述第一導線間隔開,通過所述導電粘合劑與所述第二太陽能電池的所述第二電極連接,并且通過所述絕緣層與所述第二太陽能電池的所述第一電極絕緣。
11.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述第一導線包括當從所述太陽能電池模塊的前面觀看時在所述第一太陽能電池的所述半導體基板與所述互連件之間暴露出的區域中的所述不均勻部分,并且
其中,所述第二導線包括當從所述太陽能電池模塊的所述前面觀看時在所述第二太陽能電池的所述半導體基板與所述互連件之間暴露出的區域中的所述不均勻部分。
12.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池中的每一個的所述第一電極和所述第二電極被設置為在所述半導體基板的背面上沿所述第二方向延伸。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于LG電子株式會社,未經LG電子株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610825984.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于晶體管柵極的帽蓋介電結構
- 下一篇:可調電壓源
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





