[發明專利]半導體測試設備和方法、以及數據分析設備

有效

• 申請號: 201610825847.2
• 申請日: 2016-09-14
• 公開（公告）號: CN107064782B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 李淳永;裵相右
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G01R31/303
• 分類號: G01R31/303;G01R31/3181;G01R31/00;G01R31/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗;曹瑜

1.一種半導體測試設備，包括：

致動器，其保持輻射源并調整所述輻射源與樣品之間的距離；以及

控制器，其控制所述致動器的操作，并基于所述輻射源與所述樣品之間的距離來計算所述樣品的軟錯誤率，

其中，所述控制器控制所述致動器改變所述輻射源與所述樣品之間的距離，

所述控制器繪制所述樣品的軟錯誤率相對于所述輻射源與所述樣品之間的距離的曲線圖，

所述控制器使用所述曲線圖確定所述輻射源與所述樣品之間的第一距離，在所述輻射源與所述樣品之間的第一距離處所述樣品的軟錯誤率變為零，并且

所述控制器基于所述第一距離來計算所述樣品的金屬-介電比。

2.如權利要求1所述的半導體測試設備，其中，所述控制器基于在所述樣品中包括的鈍化層的厚度和在所述樣品中包括的后段制程層的厚度來計算在所述樣品中包括的后段制程層的金屬-介電比。

3.如權利要求2所述的半導體測試設備，其中，所述控制器使用表示所述后段制程層的厚度與所述后段制程層的金屬-介電比之間的關系的查找表來計算所述后段制程層的金屬-介電比。

4.如權利要求2所述的半導體測試設備，其中，所述控制器基于關于材料中的輻射能量損失與所述材料的厚度之間的關系的數據來計算所述后段制程層的金屬-介電比。

5.如權利要求1所述的半導體測試設備，其中，所述控制器控制所述致動器將所述輻射源與所述樣品之間的距離從零改變至所述第一距離。

6.如權利要求5所述的半導體測試設備，其中，所述控制器計算所述輻射源與所述樣品之間的第二距離，在所述輻射源與所述樣品之間的第二距離處所述樣品的軟錯誤率到達其峰值。

7.如權利要求6所述的半導體測試設備，其中，所述控制器基于在預定義量的時間內發生在所述樣品中的單一事件的數目來計算所述樣品的軟錯誤率，其中，所述單一事件與由于從所述輻射源發射的α粒子而發生在所述樣品中的錯誤相對應。

8.如權利要求7所述的半導體測試設備，其中，所述控制器包括存儲器，其存儲用于檢測在所述樣品中發生的單一事件的測試模式和所述測試模式的結果值，

其中，響應于發生在所述樣品中的單一事件，所述控制器使用所述測試模式的結果值來校正所述樣品的已經發生單一事件的部分的值。

9.如權利要求1所述的半導體測試設備，其中，所述致動器包括：

支柱單元，其基本垂直地放置在襯底上，并在所述襯底上沿第一方向移動；

連接單元，其沿基本垂直于所述第一方向的第二方向移動，其中，所述連接單元通過所述支柱單元移動；以及

保持單元，其與所述連接單元的一端連接，并保持所述輻射源。

10.如權利要求9所述的半導體測試設備，其中，所述保持單元包括形成在所述保持單元的底表面的開口，其中，所述開口露出所述輻射源的一部分。

11.如權利要求9所述的半導體測試設備，其中，所述支柱單元使所述樣品的中心和所述輻射源的中心對齊。

12.如權利要求1所述的半導體測試設備，進一步包括：

固定所述樣品的在試器件板，其向所述樣品提供電力以及向所述控制器發送從所述樣品獲得的數據。