[發(fā)明專利]減反射薄膜及其制備方法、其模具的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610825584.5 | 申請日： | 2016-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN107092044A | 公開（公告）日： | 2017-08-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐良衡;莊孝磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海天臣防偽技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號： | G02B1/118 | 分類號： | G02B1/118 |
| 代理公司： | 上海弼興律師事務(wù)所31283 | 代理人： | 薛琦,王聰 |
| 地址： | 200433 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 反射 薄膜 及其 制備 方法 模具 | ||
1.一種減反射薄膜，其特征在于，所述減反射薄膜包括亞波長結(jié)構(gòu)層，所述亞波長結(jié)構(gòu)層上具有凸起結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的減反射薄膜，其特征在于，所述凸起結(jié)構(gòu)垂直投影于所述亞波長結(jié)構(gòu)層上的形狀為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；
所述凸起結(jié)構(gòu)包括若干凸起單元，所述凸起單元為多邊形，且相鄰的凸起單元連接形成所述網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的減反射薄膜，其特征在于，所述凸起結(jié)構(gòu)的占空比為5％-50％，所述占空比為所述凸起結(jié)構(gòu)的投影面積與所述減反射薄膜的面積之比；
和/或，所述凸起單元的高寬比為0.5-5；
和/或，所述凸起單元的寬度為1μm-20μm，所述凸起單元的高度為0.5μm-20μm。
4.如權(quán)利要求3所述的減反射薄膜，其特征在于，所述凸起結(jié)構(gòu)的占空比為5％-20％；
和/或，所述凸起單元的高寬比為1-3；
和/或，所述凸起單元的寬度為2μm-10μm，所述凸起單元的高度為2μm-10μm。
5.如權(quán)利要求1所述的減反射薄膜，其特征在于，所述凸起結(jié)構(gòu)包括若干凸起單元，所述若干凸起單元分散地布置于所述亞波長結(jié)構(gòu)層，且所述凸起單元投影于所述亞波長結(jié)構(gòu)層上的形狀為線條型。
6.如權(quán)利要求5所述的減反射薄膜，其特征在于，所述凸起單元投影于所述亞波長結(jié)構(gòu)層上的形狀為T形。
7.如權(quán)利要求5所述的減反射薄膜，其特征在于，所述若干凸起單元隨機排布。
8.如權(quán)利要求5-7中任意一項所述的減反射薄膜，其特征在于，所述凸起結(jié)構(gòu)的占空比為3％-30％，所述占空比為所述凸起結(jié)構(gòu)的投影面積與所述減反射薄膜的面積之比；
和/或，所述凸起單元的高寬比為0.5-5；
和/或，所述凸起單元的寬度為1μm-30μm，所述凸起單元的高度為0.5μm-20μm。
9.如權(quán)利要求8所述的減反射薄膜，其特征在于，所述凸起結(jié)構(gòu)的占空比為3％-20％；
和/或，所述凸起單元的高寬比為1-3；
和/或，所述凸起單元的寬度為2μm-20μm，所述凸起單元的高度為2μm-10μm。
10.如權(quán)利要求1所述的減反射薄膜，其特征在于，所述凸起結(jié)構(gòu)包括若干凸起單元，所述若干凸起單元分散地布置于所述亞波長結(jié)構(gòu)層，且所述凸起單元為柱狀。
11.如權(quán)利要求10所述的減反射薄膜，其特征在于，所述凸起單元為圓柱體、長方體、三角柱、六角柱和不規(guī)則多面體中的一種或多種。
12.如權(quán)利要求10所述的減反射薄膜，其特征在于，所述若干凸起單元隨機排布。
13.如權(quán)利要求10-12中任意一項所述的減反射薄膜，其特征在于，所述凸起結(jié)構(gòu)的占空比為1％-30％，所述占空比為所述凸起結(jié)構(gòu)的投影面積與所述減反射薄膜的面積之比；
和/或，所述凸起單元的高寬比為0.5-5；
和/或，所述凸起單元的寬度為1μm-50μm，所述凸起單元的高度為0.5μm-30μm。
14.如權(quán)利要求13所述的減反射薄膜，其特征在于，所述凸起結(jié)構(gòu)的占空比為2％-20％；
和/或，所述凸起單元的高寬比為1-3；
和/或，所述凸起單元的寬度為2μm-30μm，所述凸起單元的高度為2μm-20μm。
15.一種用于制備如權(quán)利要求1-14中任意一項所述的減反射薄膜的模具的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：
S100、將具有亞波長結(jié)構(gòu)層的陽極氧化鋁模板清洗后，進行烘干；
S200、在所述亞波長結(jié)構(gòu)層涂抹厚度均勻的光刻膠，并采用光掩膜版對光刻膠進行曝光、顯影以及表面脫模處理后得到具有凸起結(jié)構(gòu)的初始模具；
S300、在初始模具涂布紫外固化膠水層，所述紫外固化膠水層的厚度大于所述凸起結(jié)構(gòu)的高度；使紫外固化膠水層固化，剝離所述初始模具，并去除殘留的光刻膠得到減反射薄膜的最終模具。
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