[發(fā)明專利]一種多晶硅二次加料裝置及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610825530.9 | 申請日： | 2016-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN107815735A | 公開（公告）日： | 2018-03-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙向陽;陳強(qiáng);肖祥凱 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B35/00 | 分類號： | C30B35/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 多晶 二次 加料 裝置 方法 | ||
1.一種多晶硅二次加料裝置，其特征在于，所述多晶硅二次加料裝置包括石英管、石英半球及石英柱，其中：
所述石英管為上下開口的圓管；
所述石英半球位于所述石英管下方，所述石英半球的直徑大于所述石英管直徑；
所述石英柱位于所述石英管內(nèi)部，所述石英柱下端與所述石英半球連接。
2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅二次加料裝置，其特征在于，所述石英半球的球面正對所述石英管下方開口。
3.如權(quán)利要求1所述的多晶硅二次加料裝置，其特征在于，所述石英柱上端露出所述石英管上方開口。
4.如權(quán)利要求1所述的多晶硅二次加料裝置，其特征在于，所述石英柱上端連接吊絲。
5.一種多晶硅二次加料方法，其特征在于，所述多晶硅二次加料方法的步驟如下：
加料：向多晶硅二次加料裝置中加入小粒度的多晶硅與中粒度的多晶硅混合組成的多晶硅，或中粒度的多晶硅與大粒度的多晶硅混合組成的多晶硅；
放料：打開石英半球，向石英坩堝中放入所述加料步驟中加入的多晶硅。
6.如權(quán)利要求5所述的多晶硅二次加料方法，其特征在于，所述加料次數(shù)為1或2次。
7.如權(quán)利要求6所述的多晶硅二次加料方法，其特征在于，所述加料次數(shù)為2次時，先加入小粒度的多晶硅與中粒度的多晶硅混合組成的多晶硅，再加入中粒度的多晶硅與大粒度的多晶硅混合組成的多晶硅。
8.如權(quán)利要求5所述的多晶硅二次加料方法，其特征在于，所述加料前，向多晶硅二次加料裝置中加入小粒度多晶硅。
9.如權(quán)利要求5或8所述的多晶硅二次加料方法，其特征在于，所述小粒度多晶硅的粒度小于等于3mm。
10.如權(quán)利要求5所述的多晶硅二次加料方法，其特征在于，所述中粒度多晶硅的粒度范圍為3mm～45mm。
11.如權(quán)利要求5所述的多晶硅二次加料方法，其特征在于，所述大粒度多晶硅的粒度范圍為45mm～90mm。
12.如權(quán)利要求5所述的多晶硅二次加料方法，其特征在于，所述放料次數(shù)為2或3次。
13.如權(quán)利要求12所述的多晶硅二次加料方法，其特征在于，所述放料步驟中，每次放入石英坩堝中的多晶硅的平均粒度不變。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司，未經(jīng)上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610825530.9/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
