[發明專利]一種瓦氏秋海棠的離體再生方法

有效

• 申請號: 201610824265.2
• 申請日: 2016-09-14
• 公開（公告）號: CN106386491B
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發明（設計）人: 田代科;張大生;陳青;趙喜雙;付乃峰;劉青青;陳蒙嬌;吳少華
• 申請（專利權）人: 上海辰山植物園
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 上海開祺知識產權代理有限公司 31114
• 代理人: 費開逵

1.一種瓦氏秋海棠的離體再生方法，包括如下步驟：

1)萌發培養

將瓦氏秋海棠種子消毒，然后播種于萌發培養基上，進行光照培養，培養溫度為20～25℃，光照時間為12～18小時/天，種子生長10～15天后萌發，形成幼苗，待子葉抽出后，將幼苗分成單株，移苗至萌發培養基上，繼續培養至長出葉片；

所述的萌發培養基為1/2MS培養基或MS培養基，添加蔗糖10～30g/L以及植物凝膠3～4g/L，pH為5.8～6.2；

2)誘導培養

將步驟1)的幼葉剪切為面積在0.5～1cm²的葉片，作為外植體，接種于誘導培養基上進行光照培養20～30天，誘導產生愈傷組織和不定芽，培養溫度為20～25℃，光照時間為12～18小時/天；

其中，誘導培養基為MS培養基，添加6-BA 4.0～6.0mg/L，NAA0.1～0.4mg/L，2,4-D 0.1～0.2mg/L和植物凝膠3～4g/L，pH調節到5.8～6.2；

3)生根培養

將步驟2)中獲得的不定芽置于生根培養基中進行生根培養，培養15～20天，獲得瓦氏秋海棠的生根苗；

所述生根培養基為1/2MS培養基，添加NAA 0.1～0.3mg/L和植物凝膠3～4g/L；

4)移栽

將步驟3)獲得的生根苗移栽至栽培基質中，覆蓋保鮮膜保濕，在溫室中光照培養3～7天后，揭膜，轉入自然光下繼續生長，及時澆水、施肥，經常規培養后獲得瓦氏秋海棠栽培苗。

2.根據權利要求1所述的瓦氏秋海棠的離體再生方法，其特征在于，步驟4)中所述的栽培基質為由蛭石：珍珠巖：土按體積比為1：1～2：1～2制成的混合基質。

3.根據權利要求1所述的瓦氏秋海棠的離體再生方法，其特征在于，步驟1)中對瓦氏秋海棠種子進行消毒的過程為：將瓦氏秋海棠種子用酒精消毒8～10秒鐘，去除酒精，加入次氯酸鈉溶液消毒3～5分鐘，棄去消毒液，再用無菌水洗3～5次。

4.根據權利要求1所述的瓦氏秋海棠的離體再生方法，其特征在于，步驟1)中，將瓦氏秋海棠的種子在消毒后用滅菌的0.1％低熔點瓊脂糖懸浮，點播于萌發培養基上。

5.一種瓦氏秋海棠的離體再生方法，包括以下步驟：

1)誘導培養

將野外生長的瓦氏秋海棠葉片剪切為面積在0.5～1cm²的葉片，作為外植體，接種于誘導培養基上進行光照培養20～30天，誘導產生不定芽和愈傷組織，培養溫度為20～25℃，光照時間為12～18小時/天，其中，誘導培養基為MS培養基，添加6-BA 4.0～6.0mg/L，NAA 0.1～0.4mg/L，2,4-D 0.1～0.2mg/L和植物凝膠3～4g/L，pH調節到5.8～6.2；

2)生根培養

將步驟1)中獲得的不定芽置于生根培養基中，進行生根培養，培養15～20天，獲得瓦氏秋海棠的生根苗；所述生根培養基為1/2MS培養基，添加NAA 0.1～0.3mg/L和植物凝膠3～4g/L；

3)移栽

將步驟2)獲得的生根苗移栽至栽培基質中，覆蓋保鮮膜保濕，在溫室中光照培養3～7天，揭膜，轉入自然光下繼續生長，及時澆水，施肥，經常規培養后獲得瓦氏秋海棠栽培苗。

6.根據權利要求5所述的瓦氏秋海棠的離體再生方法，其特征在于，進行誘導培養時，在將所述的外植體接種至誘導培養基前，先對其進行消毒，利用0.1％HgCl₂溶液對葉片消毒4～8分鐘。