[發明專利]雙軌存儲器、存儲器宏以及相關的混合供電方法有效
| 申請號: | 201610824118.5 | 申請日: | 2016-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN107045878B | 公開(公告)日: | 2019-08-30 |
| 發明(設計)人: | 張琮永;鄭基廷;李政宏;廖宏仁;邁克爾·克林頓 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C5/14 | 分類號: | G11C5/14;G11C7/12;G11C8/08 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙軌 存儲器 以及 相關 混合 供電 方法 | ||
1.一種雙軌存儲器,所述雙軌存儲器在第一電壓和第二電壓下工作,所述雙軌存儲器包括:
存儲器陣列,在所述第一電壓下工作;
字線驅動器電路,配置為將所述存儲器陣列的字線驅動至所述第一電壓;
數據路徑,配置為傳輸輸入數據信號或輸出數據信號;以及
控制電路,配置為生成到達所述存儲器陣列、所述字線驅動器電路和所述數據路徑的控制信號,
其中,所述數據路徑和所述控制電路配置為在所述第一電壓和所述第二電壓這兩種電壓下工作。
2.根據權利要求1所述的雙軌存儲器,其中,所述第一電壓高于所述第二電壓。
3.根據權利要求1所述的雙軌存儲器,其中,所述數據路徑包括用于傳輸所述輸入數據信號的寫電路、用于傳輸所述輸出數據信號的讀電路和位線預充電器。
4.根據權利要求3所述的雙軌存儲器,其中,所述寫電路包括數據鎖存器、寫驅動器和寫列多路選擇器。
5.根據權利要求4所述的雙軌存儲器,所述數據鎖存器配置為參考所述第二電壓鎖存所述輸入數據信號。
6.根據權利要求4所述的雙軌存儲器,其中,所述寫驅動器配置為驅動鎖存的輸入數據,其中,所述寫驅動器的前級配置為在所述第一電壓下工作,并且所述寫驅動器的后級配置為在所述第二電壓下工作。
7.根據權利要求3所述的雙軌存儲器,其中,所述位線預充電器將與所述存儲器陣列的位單元對應的位線和互補位線預充電至所述第二電壓。
8.根據權利要求3所述的雙軌存儲器,其中,所述讀電路包括讀列多路選擇器、感測放大器和輸出驅動器。
9.一種存儲器宏,包括:
多個存儲器陣列,配置為在第一電壓下工作;
讀路徑,配置為在第二電壓下工作;
寫路徑,配置為在所述第一電壓和所述第二電壓這兩種電壓下工作;
字線驅動器電路,配置為將與所述多個存儲器陣列對應的多個字線驅動至第三電壓;以及
控制電路,配置為生成到達所述存儲器陣列、所述讀路徑、所述寫路徑和所述字線驅動器的控制信號,
其中,所述讀路徑配置為在所述第二電壓下工作,所述寫路徑和所述控制電路配置為在所述第一電壓和所述第二電壓這兩種電壓下工作。
10.一種混合供電方法,用于將雙軌存儲器配置為在第一電壓和第二電壓下工作,其中,所述雙軌存儲器的存儲器陣列在所述第一電壓下工作,所述方法包括:
將所述存儲器陣列的字線驅動至所述第一電壓;以及
通過在所述第二電壓下工作的讀電路來讀取存儲在所述存儲器陣列中的輸出數據。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610824118.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:智能管樂器、智能蕭笛
- 下一篇:鎖存電路以及半導體存儲器裝置





