[發(fā)明專利]分割晶圓的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610823365.3
• 申請日: 2016-09-14
• 公開（公告）號: CN107546175A
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃韋翔;曾仲銓;劉家瑋;褚立新
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B28D5/00
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國

技術(shù)領(lǐng)域

本揭露是有關(guān)一種晶圓，且特別是提供一種晶圓及其分割方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體制程包含利用各種制作流程，例如光微影制程、沉積制程、布植制程與蝕刻制程，形成許多集成電路于單一半導(dǎo)體晶圓上。緊接于集成電路的生成，為了將個別的集成電路分開為晶片或晶粒，此晶圓是被切開或鋸開。

在一些方法中，此晶圓是利用切割鋸，以切過相鄰晶粒間的晶圓的一部分的方式切開。在一些方法中，為了降低損壞相鄰晶粒的風(fēng)險，寬溝渠是形成于晶圓中，以助于引導(dǎo)切割鋸。此寬溝渠是稱之為切割道，在一些例子中。切割道的寬度是足以允許切割鋸穿過切割道，而沒有接觸相鄰晶粒。

發(fā)明內(nèi)容

一實(shí)施例為一種分割晶圓的方法。此方法包含定義圍繞一組晶粒的切割道。此方法還包含蝕刻多個溝渠至晶圓中，其中這些溝渠的每一個連接至切割道，這些溝渠的每一個是位于此組晶粒的相鄰晶粒間，這些溝渠的每一個的寬度是小于切割道的寬度，且這些溝渠的每一個的深度是小于晶圓的厚度。此方法還包含薄化晶圓，以暴露出這些溝渠的底表面。此方法還包含沿著切割道切割，以將此組晶粒與晶圓的又一部分分開。

另一實(shí)施例為一種分割晶圓的方法。此方法包含凹陷晶圓的一部分，以定義圍繞一組晶粒的切割道，其中切割道具有第一深度。此方法還包含蝕刻多個溝渠至晶圓中，其中這些溝渠的每一個連接至切割道，這些溝渠的每一個是位于此組晶粒中的相鄰晶粒間，這些溝渠的每一個具有大于第一深度的第二深度，且此第二深度小于晶圓的厚度。此方法還包含沉積介電材料至這些溝渠中。此方法還包含薄化晶圓，以暴露出這些溝渠中的介電材料。此方法還包含沿著切割道切割，以將此組晶粒與晶圓的又一部分分開。

又一實(shí)施例為一種晶圓。此晶圓包含第一組晶粒與第二組晶粒。此晶圓還包含分開第一組晶粒與第二組晶粒的切割道，其中此切割道具有第一寬度。此方法還包含介于第一組晶粒的相鄰晶粒間的多個溝渠，且這些溝渠連接至切割道，其中這些溝渠具有小于第一寬度的第二寬度，且這些溝渠的每一個的深度小于晶圓的厚度。

附圖說明

從以下結(jié)合所附附圖所做的詳細(xì)描述，可對本揭露的態(tài)樣有更佳的了解。需注意的是，根據(jù)業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)務(wù)，各特征并未依比例繪示。事實(shí)上，為了使討論更為清楚，各特征的尺寸可任意地增加或減少。

圖1是繪示依據(jù)一些實(shí)施例的分割晶圓的方法的流程圖；

圖2是繪示依據(jù)一些實(shí)施例的晶圓于分割晶圓的方法的期間的透視圖；

圖3是繪示依據(jù)一些實(shí)施例的晶圓的一部分于分割晶圓的方法的期間的透視圖；

圖4是繪示依據(jù)一些實(shí)施例的晶圓于分割晶圓的方法的期間的剖視圖；

圖5是繪示依據(jù)一些實(shí)施例的晶圓于分割晶圓的方法的期間的剖視圖；

圖6是繪示依據(jù)一些實(shí)施例的晶圓于分割晶圓的方法的期間的剖視圖；

圖7是繪示依據(jù)一些實(shí)施例的晶粒的透視圖。

具體實(shí)施方式

以下的揭露提供了許多不同的實(shí)施例或例子，以實(shí)施發(fā)明的不同特征。以下所描述的構(gòu)件與安排的特定例子是用以簡化本揭露。當(dāng)然這些僅為例子，并非用以做為限制。舉例而言，在描述中，第一特征形成于第二特征上方或上，可能包含第一特征與第二特征以直接接觸的方式形成的實(shí)施例，而也可能包含額外特征可能形成在第一特征與第二特征之間的實(shí)施例，如此第一特征與第二特征可能不會直接接觸。此外，本揭露可能會在各例子中重復(fù)參考數(shù)字及/或文字。這樣的重復(fù)是基于簡單與清楚的目的，以其本身而言并非用以指定所討論的各實(shí)施例及/或配置之間的關(guān)系。

另外，在此可能會使用空間相對用語，例如“向下(beneath)”、“下方(below)”、“較低(lower)”、“上方(above)”、“較高(upper)”等等，以方便描述來說明如附圖所繪示的一元件或一特征與另一(另一些)元件或特征的關(guān)系。除了在圖中所繪示的方向外，這些空間相對用詞意欲含括元件在使用或操作中的不同方位。設(shè)備可能以不同方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，因此可利用同樣的方式來解釋在此所使用的空間相對描述符號。

隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)尺寸的縮小且集成電路變的更小，于制作流程期間，晶圓的減少數(shù)量是被實(shí)施。于晶圓上個別的晶粒生成后，由于晶圓中切割道數(shù)量的增加，晶圓的利用性是降低，其中切割道數(shù)量的增加是為了容許晶圓的切開。此切割道是用以容許切割鋸?fù)ㄟ^，而降低其對晶圓上鄰近的晶粒的危害風(fēng)險。切割道亦包含如測試墊的特征，以于制造流程期間測試所形成的晶粒的性質(zhì)；于制造流程的期間，助于各種光罩的對準(zhǔn)的對準(zhǔn)標(biāo)記；及/或其他相等的信息。