[發明專利]引線架及其制造方法、半導體裝置

有效

• 申請號: 201610821830.X
• 申請日: 2016-09-13
• 公開（公告）號: CN107068643B
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發明（設計）人: 林真太郎
• 申請（專利權）人: 新光電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/48
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 崔炳哲

本發明提供一種半導體裝置，其具有引線架、安裝在所述引線架上的半導體芯片、及對所述引線架和所述半導體芯片進行覆蓋的密封樹脂。在所述引線架的被所述密封樹脂覆蓋的被覆區域形成凹凸部。所述凹凸部的凹部的平面形狀是直徑為0.020mm以上且0.060mm以下的圓形或者是各頂點與直徑為0.020mm以上且0.060mm以下的外接圓相交的多邊形。在表面積為So的平坦面上形成凹凸部且該凹凸部的表面積為S的情況下的So和S的比率S/So為1.7以上。

技術領域

本發明涉及一種引線架及其制造方法、半導體裝置。

背景技術

在引線架上安裝半導體芯片并由樹脂進行密封的半導體裝置是眾所周知的。在這樣的半導體裝置中，工作時的發熱會導致反復地發生膨脹和/或收縮，所以引線架和樹脂的界面可能會發生剝離。因此，為了提高引線架和樹脂的密著性，有時會在引線架的表面形成凹凸部(bump portion)。例如，通過對引線架表面進行化學處理就可形成這樣的凹凸部。

專利文獻1:(日本)特開2004－349497號公報

發明內容

然而，在通過對引線架表面進行化學處理以形成凹凸部的方法中，由于凹凸部比較微細，不能充分地擴大表面積，所以存在著難以獲得所期待的密著性的情況。另外，例如還存在著對由銅所構成的引線架的表面進行化學處理以形成凹凸部，并在該凹凸部上再形成鍍銀膜的情況，但此時也存在著微細的凹凸部會被鍍銀膜所填埋，導致出現表面積比形成鍍銀膜之前還減少了的情況。在此情況下也不能獲得所期待的密著性。

本發明是鑒于上述問題而提出的，其課題為提供一種半導體裝置，其引線架表面所形成的凹凸部的表面積大于以往，據此可提高與樹脂之間的密著性。

本半導體裝置具有：引線架；安裝在所述引線架上的半導體芯片；和對所述引線架和所述半導體芯片進行覆蓋的密封樹脂。在所述引線架的由所述密封樹脂進行覆蓋的被覆區域形成包括多個(本申請中，多個是指兩個以上)凹部的凹凸部，所述凹凸部的所述凹部的平面形狀是直徑為0.020mm以上且0.060mm以下的圓形或者是各頂點都與直徑為0.020mm以上且0.060mm以下的外接圓相交的多邊形，在表面積為So的平坦面上形成所述凹凸部并且所述凹凸部的表面積為S的情況下的So和S的比率S/So為1.7以上。

根據所公開的技術，能夠提供一種半導體裝置，其引線架表面所形成的凹凸部的表面積大于以往，據此可提高與樹脂之間的密著性。

附圖說明

圖1A～圖1D是第1實施方式的半導體裝置的例示圖。

圖2是對S比(S ratio)進行說明的圖。

圖3A～圖3B是第1實施方式的半導體裝置制造步驟的示例圖(其1)。

圖4A～圖4D是第1實施方式的半導體裝置制造步驟的示例圖(其2)。

圖5A～圖5D是第1實施方式的半導體裝置制造步驟的示例圖(其3)。

圖6A～圖6D是第1實施方式的半導體裝置制造步驟的示例圖(其4)。

圖7是第1實施方式的半導體裝置制造步驟的示例圖(其5)。

圖8A～圖8C是第1實施方式的半導體裝置制造步驟的示例圖(其6)。

圖9是第2實施方式的半導體裝置的示例截面圖。

圖10是對第2實施方式的引線架進行例示的部分平面圖。

圖11A～圖11B是對杯剪切試驗(cup shear test)的試驗樣品等進行說明的圖。

圖12是實施例1的杯剪切試驗結果的示例圖。

圖13是實施例2的杯剪切試驗結果的示例圖。