[發明專利]一種低溫液相制備高遷移率銦釔氧薄膜晶體管的方法在審
| 申請號： | 201610821733.0 | 申請日： | 2016-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN106653613A | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發明（設計）人： | 夏國棟;劉金華;王素梅 | 申請（專利權）人： | 齊魯工業大學 |
| 主分類號： | H01L21/34 | 分類號： | H01L21/34;H01L29/786;H01L29/24 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 制備 遷移率 銦釔氧 薄膜晶體管 方法 | ||
1.一種低溫液相制備高遷移率銦釔氧薄膜晶體管的方法，其特征在于包括如下步驟：
(1) 制備銦釔氧前驅體溶液：稱取可溶性的銦鹽及釔鹽，量取溶劑，配置濃度為0.01-0.5摩爾/升的銦釔氧前驅體溶液，經過0.1-3小時的磁力攪拌和超聲分散形成澄清透明的銦釔氧前驅體溶液；
(2) 制備銦釔氧薄膜：將銦釔氧前驅體溶液涂覆到預先涂有介電層/柵極薄膜的的襯底上形成銦釔氧前驅體薄膜，進行50-150 ℃的預熱處理，然后經過一定功率、時間和溫度的光波退火，根據銦釔氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驅體銦釔氧溶液并退火處理，得到銦釔氧透明半導體薄膜；
(3) 制備銦釔氧薄膜晶體管：在銦釔氧透明半導體薄膜上沉積源漏電極，即得到銦釔氧薄膜晶體管；
所述的光波的生成儀器為用作廚具的光波爐或具有鹵素燈管的加熱儀器。
2.根據權利要求1所述的一種低溫液相制備高遷移率銦釔氧薄膜晶體管的方法，其特征在于：所述的可溶性的銦鹽為硝酸銦、氯化銦、硫酸銦或乙酸銦中的一種或兩種以上。
3.根據權利要求1所述的一種低溫液相制備高遷移率銦釔氧薄膜晶體管的方法，其特征在于：所述的可溶性的釔鹽為硝酸釔、氯化釔、硫酸釔或乙酸釔中的一種或兩種以上。
4.根據權利要求1所述的一種低溫液相制備高遷移率銦釔氧薄膜晶體管的方法，其特征在于：所述的溶劑為乙二醇甲醚、乙醇、水、乙二醇或二甲基甲酰胺中的一種或兩種以上。
5.根據權利要求1所述的一種低溫液相制備高遷移率銦釔氧薄膜晶體管的方法，其特征在于：所述涂覆方法為旋轉涂覆法、滴涂法、浸涂法、噴霧法或噴墨打印法。
6.根據權利要求1所述的一種低溫液相制備高遷移率銦釔氧薄膜晶體管的方法，其特征在于：所述介電層為氧化硅、氧化鋯、氧化鉿、氧化鋁、氧化釔或氧化鑭中的一種或兩種以上。
7.根據權利要求1所述的一種低溫液相制備高遷移率銦鋅氧薄膜晶體管的方法，其特征在于：所述的柵極薄膜為鋁、銅、銀、鉬、氧化銦錫或金薄膜中的一種或兩種以上。
8.根據權利要求1所述的一種低溫液相制備高遷移率銦釔氧薄膜晶體管的方法，其特征在于：所述的光波退火的功率為100-900 W。
9.根據權利要求1所述的一種低溫液相制備高遷移率銦釔氧薄膜晶體管的方法，其特征在于：所述的光波退火的時間為5-120分鐘。
10.根據權利要求1所述的一種低溫液相制備高遷移率銦釔氧薄膜晶體管的方法，其特征在于：所述的光波退火過程中的溫度為100-300 ℃。
11.根據權利要求1所述的一種低溫液相制備高遷移率銦釔氧薄膜晶體管的方法，其特征在于：所述的源漏電極為鋁、銅、銀、氧化銦錫或金薄膜中的一種或兩種以上。
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