[發(fā)明專利]一種低溫制備高遷移率銦鋯氧薄膜晶體管的溶液方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610821732.6
• 申請日: 2016-09-14
• 公開（公告）號: CN106653858A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 夏國棟;劉金華;王素梅
• 申請（專利權(quán)）人: 齊魯工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/02;H01L21/34
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1.一種低溫制備高遷移率銦鋯氧薄膜晶體管的溶液方法，其特征在于包括如下步驟：

(1) 制備銦鋯氧前驅(qū)體溶液：稱取可溶性的銦鹽及鋯鹽，量取溶劑，配置濃度為0.01-0.5摩爾/升的銦鋯氧前驅(qū)體溶液，經(jīng)過0.1-3小時的磁力攪拌和超聲分散形成澄清透明的銦鋯氧前驅(qū)體溶液；

(2) 制備銦鋯氧薄膜：將銦鋯氧前驅(qū)體溶液涂覆到預(yù)先涂有介電層/柵極薄膜的襯底上形成銦鋯氧前驅(qū)體薄膜，進(jìn)行50-150 ℃的預(yù)熱處理，然后經(jīng)過一定功率、時間和溫度的光波退火，根據(jù)銦鋯氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驅(qū)體銦鋯氧溶液并退火處理，得到銦鋯氧透明半導(dǎo)體薄膜；

(3) 制備銦鋯氧薄膜晶體管：在銦鋯氧透明半導(dǎo)體薄膜上沉積源漏電極，即得到銦鋯氧薄膜晶體管；

所述的光波的生成儀器為用作廚具的光波爐或具有鹵素?zé)艄艿募訜醿x器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫制備高遷移率銦鋯氧薄膜晶體管的溶液方法，其特征在于：所述的可溶性的銦鹽為硝酸銦、氯化銦、硫酸銦或乙酸銦中的一種或兩種以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫制備高遷移率銦鋯氧薄膜晶體管的溶液方法，其特征在于：所述的可溶性的鋯鹽為硝酸鋯、氯化鋯、硫酸鋯或乙酸鋯中的一種或兩種以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫制備高遷移率銦鋯氧薄膜晶體管的溶液方法，其特征在于：所述的溶劑為乙二醇甲醚、乙醇、水、乙二醇或二甲基甲酰胺中的一種或兩種以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫制備高遷移率銦鋯氧薄膜晶體管的溶液方法，其特征在于：所述涂覆方法為旋轉(zhuǎn)涂覆法、滴涂法、浸涂法、噴霧法或噴墨打印法。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫制備高遷移率銦鋯氧薄膜晶體管的溶液方法，其特征在于：所述介電層為氧化硅、氧化鋯、氧化鉿、氧化鋁、氧化釔或氧化鑭中的一種或兩種以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫液相制備高遷移率銦鋅氧薄膜晶體管的方法，其特征在于：所述的柵極薄膜為鋁、銅、銀、鉬、氧化銦錫或金薄膜中的一種或兩種以上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫制備高遷移率銦鋯氧薄膜晶體管的溶液方法，其特征在于：所述的光波退火的功率為100-900 W。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫制備高遷移率銦鋯氧薄膜晶體管的溶液方法，其特征在于：所述的光波退火的時間為5-120分鐘。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫制備高遷移率銦鋯氧薄膜晶體管的溶液方法，其特征在于：所述的光波退火過程中的溫度為100-300 ℃。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫制備高遷移率銦鋯氧薄膜晶體管的溶液方法，其特征在于：所述的源漏電極為鋁、銅、銀、氧化銦錫或金薄膜中的一種或兩種以上。