[發明專利]一種單層集中繞組直流注入型游標磁阻電機

有效

• 申請號: 201610821334.4
• 申請日: 2016-09-14
• 公開（公告）號: CN106849396B
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 曲榮海;賈少鋒;李大偉;李健;孔武斌
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H02K1/14
• 分類號: H02K1/14;H02K1/16;H02K1/24;H02K1/26;H02K3/12
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 李歡

1.一種單層集中繞組直流注入型游標磁阻電機，其包括定子(1)、轉子(2)以及繞組(3)，其中，所述定子(1)和轉子(2)均為凸極結構；

其特征在于，所述繞組(3)為單層分數槽非重疊集中繞組，且繞組中電流包括正弦交流分量和直流分量；

其中，所述繞組(3)的極對數P_a和繞組中交流分量的電頻率w_e分別滿足一定關系，且交流分量與反電勢的夾角為零時，該電機的輸出轉矩最大，所述關系為：

P_a＝|P_dc-N_r|

w_e＝N_rw_r

其中，N_r為轉子槽數，P_dc為通入直流時產生的磁勢極對數，w_r為轉子的機械頻率。

2.根據權利要求1所述的一種單層集中繞組直流注入型游標磁阻電機，其特征在于，所述單層分數槽非重疊集中繞組的每極每相槽數q為分數，且滿足如下關系：

其中，Z₁為定子槽數，P_a為繞組極對數，m為相數。

3.根據權利要求1所述的一種單層集中繞組直流注入型游標磁阻電機，其特征在于，所述正弦交流分量用于產生旋轉磁勢，所述直流分量用于產生旋轉磁場。

4.根據權利要求1所述的一種單層集中繞組直流注入型游標磁阻電機，其特征在于，所述轉子的凸極結構起到調制勵磁磁勢的作用，其調制作用可以表述為：

Λ(θ_s,t)≈Λ_r0-Λ_r1cos[Z₂(θ_s-w_rt)]

其中，Z₂為轉子槽數，θ_s為空間位置，t為時間，w_r為轉子的角速度。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的一種單層集中繞組直流注入型游標磁阻電機，其特征在于，所述直流分量的平均值I_dc與交流分量有效值I_rms的比為1.0～1.1時，該電機的輸出轉矩最大。

6.根據權利要求1所述的一種單層集中繞組直流注入型游標磁阻電機，其特征在于，所述定子(1)和轉子(2)為同軸套設。

7.根據權利要求1所述的一種單層集中繞組直流注入型游標磁阻電機，其特征在于，定子(1)與轉子(2)可以是外定子內轉子結構，也可以是外轉子內定子結構。