[發明專利]半導體器件和方法

有效

• 申請號: 201610820664.1
• 申請日: 2016-09-13
• 公開（公告）號: CN107068574B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 劉子正;胡毓祥;藍若琳;廖思豪;郭正錚;郭宏瑞;劉重希;余振華;周孟緯
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L23/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

將第一半導體管芯放置為鄰近于通孔；

用包封物包封所述第一半導體管芯和所述通孔；

在所述第一半導體管芯和所述通孔上方形成第一介電層；

在所述第一介電層上方形成第一再分布層；以及

在所述第一再分布層上方沉積第二介電層，其中，所述第二介電層包括第一材料，所述第一材料為在介于200℃和230℃之間的溫度下固化的低溫固化的聚酰亞胺，其中，所述固化包括：

升溫階段，其中，所述升溫階段以2℃/min和4.8℃/min的速率增加所述第一材料的溫度；

固化階段，其中，所述第一材料在200℃的溫度下固化兩小時；以及

冷卻階段，其中，所述冷卻階段以0.5℃/min和2.0℃/min的速率降低所述第一材料的所述溫度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一介電層包括所述第一材料。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一半導體管芯包括位于半導體襯底和所述第一再分布層之間的第三介電層，所述第三介電層包括所述第一材料。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括位于所述第一半導體管芯的與所述第一介電層相對的側上的第三介電層，所述第三介電層包括所述第一材料。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括位于所述第一半導體管芯的與所述第一介電層相對的側上的第三介電層，所述第三介電層包括第二材料，所述第二材料為聚苯并惡唑。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括位于所述第二介電層上方的多個介電層，其中，所述多個介電層的每個均包括所述第一材料。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括：

多個介電層，位于所述第二介電層上方，其中，所述多個介電層的每個均包括所述第一材料；

第三介電層，位于所述第一半導體管芯的半導體襯底和所述第一再分布層之間，所述第三介電層包括所述第一材料；以及

第四介電層，位于所述第一半導體管芯的與所述第一介電層相對的側上，所述第四介電層包括所述第一材料。

8.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在通孔、第一半導體器件和包封物上方施加第一介電材料，其中，所述通孔通過所述包封物與所述第一半導體器件橫向分隔開；以及

實施聚酰亞胺的第一施加，其中，實施所述第一施加還包括第一組步驟，所述第一組步驟包括：

在所述第一介電材料上方施加第二介電材料，其中，所述第二介電材料包括聚酰亞胺樹脂、光敏化合物和溶劑；

將所述第二介電材料曝光于圖案化的光源；

在曝光所述第二介電材料之后，顯影所述第二介電材料；和

在顯影所述第二介電材料之后，固化所述第二介電材料，其中在介于200℃和230℃之間的溫度下實施固化所述第二介電材料，其中，固化所述第二介電材料包括：

升溫階段，其中，所述升溫階段以2℃/min和4.8℃/min的速率增加所述第二介電材料的溫度；

固化階段，其中，所述第二介電材料在200℃的溫度下固化兩小時；以及

冷卻階段，其中，所述冷卻階段以0.5℃/min和2.0℃/min的速率降低所述第二介電材料的所述溫度。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括在所述第一施加之后，實施聚酰亞胺的第二施加，其中，所述第二施加包括所述第一組步驟。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括在所述第二施加之后，實施聚酰亞胺的第三施加，其中，所述第三施加包括所述第一組步驟。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述第二施加的顯影步驟形成了外部側壁，所述外部側壁具有從在所述第一施加期間施加的所述第二介電材料的外部側壁的橫向偏移。