[發(fā)明專利]一種基于SRAM型FPGA敏感因子的功能失效時(shí)間評(píng)估方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610819610.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-09-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107817439A | 公開(公告)日: | 2018-03-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高成;張明杰;傅成城;黃姣英 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京航空航天大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01R31/3185 | 分類號(hào): | G01R31/3185 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100191*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 sram fpga 敏感 因子 功能 失效 時(shí)間 評(píng)估 方法 | ||
1.一種基于SRAM型FPGA敏感因子的功能失效時(shí)間評(píng)估方法,其特征在于:該方法具體步驟如下:
步驟一:對(duì)SRAM型FPGA的配置網(wǎng)表文件進(jìn)行解析,采用SelectMAP配置方法,利用可重構(gòu)技術(shù)設(shè)計(jì)一套遍歷式單粒子故障注入方法;
步驟二:對(duì)FPGA進(jìn)行功能電路配置,并對(duì)搭載有具體功能電路的FPGA實(shí)施遍歷式故障注入試驗(yàn);
步驟三:收集敏感位數(shù)據(jù),利用敏感位數(shù)據(jù)驗(yàn)證三模冗余設(shè)計(jì)的效率,并計(jì)算功能電路的敏感因子;
步驟四:利用敏感因子計(jì)算功能電路的功能失效時(shí)間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于SRAM型FPGA敏感因子的功能失效時(shí)間評(píng)估方法,其特征在于:步驟一所述的“利用可重構(gòu)技術(shù)設(shè)計(jì)一套遍歷式單粒子故障注入方法”,其具體實(shí)現(xiàn)過程如下:
通過修改配置文件中的單幀數(shù)據(jù)完成對(duì)配置位的位翻轉(zhuǎn),用SelectMAP配置模式將修改后的內(nèi)容刷新到運(yùn)行中的FPGA上,完成動(dòng)態(tài)部分重構(gòu),實(shí)現(xiàn)配置存儲(chǔ)器的人為邏輯翻轉(zhuǎn)。向兩塊FPGA施加測(cè)試向量,并對(duì)比FPGA的功能輸出結(jié)果,以此來判斷配置位的翻轉(zhuǎn)是否引起了FPGA系統(tǒng)功能失效。故障注入可以理解為一種人為的加速失效過程,用來檢測(cè)SRAM型FPGA執(zhí)行某種功能的穩(wěn)定性。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于SRAM型FPGA敏感因子的功能失效時(shí)間評(píng)估方法,其特征在于:步驟三所述的“計(jì)算功能電路的敏感因子”,其具體實(shí)現(xiàn)過程如下:
一般在對(duì)FPGA進(jìn)行單粒子性能測(cè)試時(shí),最直接的方法是采用高能粒子輻照,因此對(duì)FPGA的抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力的定量可以從高能粒子輻照的相關(guān)測(cè)試參數(shù)分析。
在一般輻照試驗(yàn)中,定量評(píng)價(jià)是使用單粒子翻轉(zhuǎn)截面來評(píng)價(jià)器件對(duì)單粒子效應(yīng)的敏感程度:
式中,F(xiàn)為垂直入射時(shí)單位面積上入射粒子總數(shù),單位是cm-2;N為單粒子翻轉(zhuǎn)事件數(shù);σs為器件單位面積受到單一粒子碰撞一系列連鎖現(xiàn)象后,引發(fā)單粒子翻轉(zhuǎn)的概率,是FPGA固有的屬性。
考慮具體配置電路,引入一個(gè)動(dòng)態(tài)參量,稱為動(dòng)態(tài)翻轉(zhuǎn)截面σd:
式中,E是高能粒子輻照實(shí)驗(yàn)中FPGA發(fā)生系統(tǒng)功能失效的次數(shù),F(xiàn)是入射粒子在單位面積上的通量。配置有功能電路的FPGA在運(yùn)行時(shí),可以使用動(dòng)態(tài)翻轉(zhuǎn)截面來評(píng)估器件的失效率。相對(duì)的,將σs稱為靜態(tài)翻轉(zhuǎn)截面。
回到失效鏈,該失效鏈?zhǔn)墙⒃谝呀?jīng)發(fā)生位翻轉(zhuǎn)的前提下,我們把這個(gè)前提事件稱為事件A,將FPGA發(fā)生功能失效稱為事件B,前提事件A受FPGA固有屬性的影響,只有當(dāng)A發(fā)生了,才會(huì)有可能發(fā)生事件B,事件B受到具體配置功能電路屬性的影響。
引入一個(gè)敏感因子γ來描述單粒子翻轉(zhuǎn)對(duì)FPGA使用功能造成的影響,將動(dòng)態(tài)翻轉(zhuǎn)截面與靜態(tài)翻轉(zhuǎn)截面的比例來作為FPGA具體使用中發(fā)生事件A后出現(xiàn)事件B的度量。
式中,Nc為故障注入試驗(yàn)的總次數(shù);Ns為發(fā)生功能失效的次數(shù),也就是敏感位。敏感因子γ的意義為引起功能失效的單粒子翻轉(zhuǎn)數(shù)和總單粒子翻轉(zhuǎn)數(shù)的比例。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于SRAM型FPGA敏感因子的功能失效時(shí)間評(píng)估方法,其特征在于:步驟四所述的“利用敏感因子計(jì)算功能電路的功能失效時(shí)間”,其具體實(shí)現(xiàn)過程如下:
在配置完FPGA后的實(shí)際使用中,只有當(dāng)功能電路發(fā)生了功能錯(cuò)誤后,才能判斷該FPGA中發(fā)生了配置位單粒子翻轉(zhuǎn),然而這并不能反應(yīng)出FPGA中的真實(shí)單粒子翻轉(zhuǎn)情況。為了解決這一情況,基于敏感位提出一種評(píng)估平均功能失效時(shí)間的方法。
配置完成后的FPGA具有一定的功能,當(dāng)電路功能無法正確執(zhí)行時(shí),認(rèn)為FPGA發(fā)生了功能失效。在只考慮單粒子翻轉(zhuǎn)時(shí),單粒子翻轉(zhuǎn)失效鏈解釋了SRAM存儲(chǔ)單元邏輯翻轉(zhuǎn)引發(fā)功能失效的具體過程。針對(duì)具體功能電路,F(xiàn)PGA所表現(xiàn)出來的功能失效時(shí)間及類型是不同的,故障注入試驗(yàn)結(jié)果得到的敏感位可以將不同功能電路的功能失效時(shí)間相互轉(zhuǎn)換。遍歷式的故障注入可以排除非關(guān)鍵配置位的干擾,使得功能失效時(shí)間的轉(zhuǎn)換更準(zhǔn)確。
通過故障注入試驗(yàn)得到特定功能電路i在某A型號(hào)FPGA的敏感位是λi,其中i=1,2,...,N,代表N個(gè)電路分別配置在同一個(gè)型號(hào)的FPGA上。假設(shè)該FPGA與電路配置相關(guān)的總配置位數(shù)量為λ,那么該FPGA的單粒子翻轉(zhuǎn)間隔時(shí)間tA可以表示為:
其中ti為功能電路i在實(shí)際使用中單粒子翻轉(zhuǎn)的平均失效間隔時(shí)間,值得注意的是,該方法的基本假設(shè)是任意功能電路是配置在同一電路上。
得到FPGA實(shí)際單粒子翻轉(zhuǎn)情況后,可分析電路j,其中j≠i,也就是當(dāng)FPGA本身的單粒子翻轉(zhuǎn)間隔時(shí)間已知時(shí),可通過任意電路j的敏感位λj推算電路j的平均失效間隔時(shí)間FFTj:
由此可以計(jì)算出任意電路配置完成后,F(xiàn)PGA的功能失效時(shí)間,該時(shí)間參數(shù)對(duì)于定時(shí)刷新技術(shù)的參數(shù)設(shè)計(jì)有重要的參考價(jià)值。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
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