[發(fā)明專(zhuān)利]影像感測(cè)器及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610819519.1 | 申請(qǐng)日： | 2016-09-13 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107785383B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-04-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鐘志平;吳建龍;楊心怡 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 力晶積成電子制造股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/146 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 影像 感測(cè)器 及其 制作方法 | ||
1.一種影像感測(cè)器，包括：
感光元件，設(shè)置于一基底表面；
至少一圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于該基底上，該圖案化導(dǎo)電層包括至少一內(nèi)連線(interconnect)，設(shè)置于該感光元件的一側(cè)；
至少一下介電層，設(shè)置于該基底上并覆蓋該內(nèi)連線；
至少一光學(xué)屏障層，覆蓋該下介電層；以及
至少一上介電層，覆蓋該光學(xué)屏障層，其中該光學(xué)屏障層的折射系數(shù)大于該上介電層與該下介電層的折射系數(shù)，
其中該光學(xué)屏障層與該下介電層階梯覆蓋該內(nèi)連線，且該光學(xué)屏障層與該下介電層之間具有一界面，該界面隨著該下介電層和該光學(xué)屏障層所覆蓋的該內(nèi)連線而高低起伏并包括多個(gè)側(cè)面部分與多個(gè)平坦部分，并且該些側(cè)面部分與平坦部分能夠使得入射光線發(fā)生全反射。
2.如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)器，其中該多個(gè)側(cè)面部分大體上垂直于該基底的表面。
3.如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)器，其中該多個(gè)側(cè)面部分分別為一傾斜面，且與該基底表面具有小于90度的一夾角。
4.如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)器，其包括多層圖案化導(dǎo)電層依序設(shè)置于該基底上，各該層圖案化導(dǎo)電層分別包括至少一內(nèi)連線，且該光學(xué)屏障層覆蓋最上層的該內(nèi)連線。
5.如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)器，其包括多層圖案化導(dǎo)電層依序設(shè)置于該基底上，且各該層圖案化導(dǎo)電層的表面由下而上依序設(shè)置有該下介電層、該光學(xué)屏障層及該上介電層，使各該光學(xué)屏障層分別覆蓋各該層圖案化導(dǎo)電層的該內(nèi)連線。
6.如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)器，另包括：
彩色濾光層，設(shè)置于該上介電層上，并覆蓋該感光元件；以及
微聚光鏡，設(shè)置于該彩色濾光層上，并覆蓋該感光元件。
7.如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)器，另包括光導(dǎo)管(light pipe)，設(shè)置于該感光元件上并位于該下介電層、該光學(xué)屏障層與該上介電層中。
8.如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)器，其中該上介電層與該下介電層的材料分別包括二氧化硅。
9.如權(quán)利要求1所述的影像感測(cè)器，其中該光學(xué)屏障層的材料包括氮化硅、碳化硅、鋁、硅或鎢。
10.一種影像感測(cè)器的制作方法，包括：
提供一基底，并于該基底表面形成一感光元件；
在該基底上形成一圖案化導(dǎo)電層，該圖案化導(dǎo)電層包括至少一內(nèi)連線，設(shè)置于該感光元件的一側(cè)；
在該圖案化導(dǎo)電層上形成一下介電層，階梯覆蓋該圖案化導(dǎo)電層；
在該基底上形成一光學(xué)屏障層，階梯覆蓋該下介電層；以及
在該基底上形成一上介電層，覆蓋該光學(xué)屏障層，其中該光學(xué)屏障層的折射系數(shù)大于該上介電層與該下介電層的折射系數(shù)，
其中該光學(xué)屏障層與該下介電層之間具有一界面，該界面隨著該下介電層和該光學(xué)屏障層所覆蓋的該圖案化導(dǎo)電層而高低起伏并包括多個(gè)側(cè)面部分與多個(gè)平坦部分，并且該些側(cè)面部分與平坦部分能夠使得入射光線發(fā)生全反射。
11.如權(quán)利要求10所述的影像感測(cè)器的制作方法，其中該方法包括于該基底上形成多層圖案化導(dǎo)電層，且該光學(xué)屏障層階梯覆蓋最上層的該圖案化導(dǎo)電層。
12.如權(quán)利要求10所述的影像感測(cè)器的制作方法，其中該方法包括于該基底上形成多層圖案化導(dǎo)電層，且在各該層圖案化導(dǎo)電層的表面分別依序形成一下介電層、一光學(xué)屏障層以及一上介電層，各該光學(xué)屏障層分別階梯覆蓋各該層圖案化導(dǎo)電層。
13.如權(quán)利要求10所述的影像感測(cè)器的制作方法，另包括：
移除部分該上介電層、該下介電層與該光學(xué)屏障層，以于該感光元件上形成一光導(dǎo)管開(kāi)口；以及
在該光導(dǎo)管開(kāi)口中填入高折射率材料，以于該感光元件上形成一光導(dǎo)管。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
