[發明專利]一種用于增加信號振幅范圍的晶體管

有效

• 申請號: 201610819368.X
• 申請日: 2016-09-13
• 公開（公告）號: CN107818973B
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發明（設計）人: 陳智圣;李宗翰;陳長億
• 申請（專利權）人: 立積電子股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L27/06
• 代理公司: 31273 上海市錦天城律師事務所
• 代理人: 劉民選

1.一種用于增加信號振幅范圍的晶體管，其特征在于，包括：

一第一摻雜井，形成于一結構層內；

一第二摻雜井，形成于該結構層內，且該第二摻雜井形成于該第一摻雜井與該結構層之間；

一第一摻雜區，形成于該第一摻雜井中，用以傳輸一信號；

一第二摻雜區，形成于該第一摻雜井中，其中該第一摻雜區、該第二摻雜區和該第二摻雜井具有一第一導電類型，且該第一摻雜井具有一第二導電類型；

一閘極層，用以使一通道形成于該第一摻雜區和該第二摻雜區之間；及

至少一補償電容，形成在該第一摻雜區，該第二摻雜區，該第一摻雜井 ，該第二摻雜井和該結構層之外，以及電性連接于該第一摻雜區與該第一摻雜井之間，或該第一摻雜井與該第二摻雜井之間，或該第二摻雜井與一第一參考電位之間，該第一參考電位電性連接該結構層；

其中該第一摻雜區與該第一摻雜井間具有一第一接口寄生電容、該第一摻雜井與該第二摻雜井間具有一第二接口寄生電容、以及該第二摻雜井與該結構層間具有一第三接口寄生電容；且該至少一補償電容是用以調整該第一接口寄生電容、該第二接口寄生電容或該第三接口寄生電容的跨壓。

2.根據權利要求1所述的用于增加信號振幅范圍的晶體管，其特征在于，其中該至少一補償電容是用以減少該第一接口寄生電容的跨壓、該第二接口寄生電容的跨壓與該第三接口寄生電容的跨壓之間的差異。

3.根據權利要求1所述的用于增加信號振幅范圍的晶體管，其特征在于，其中該至少一補償電容的電容值至少是由該第一接口寄生電容的電容值、該第二接口寄生電容的電容值和該第三接口寄生電容的電容值所決定。

4.根據權利要求1所述的用于增加信號振幅范圍的晶體管，其特征在于，該第一接口寄生電容、該第二接口寄生電容、該第三接口寄生電容的電容值是逐漸減少，且該第一接口寄生電容、該第二接口寄生電容、該第三接口寄生電容的跨壓等于該信號的振幅。

5.根據權利要求1所述的用于增加信號振幅范圍的晶體管，其特征在于，該第一摻雜井接收一第一電壓，該第二摻雜井接收一第二電壓，以及該第一電壓和該第二電壓的電性相反。

6.根據權利要求1所述的用于增加信號振幅范圍的晶體管，其特征在于，其中該至少一補償電容是一金屬-絕緣體-金屬電容。

7.根據權利要求1所述的用于增加信號振幅范圍的晶體管，其特征在于，其中該至少一補償電容包括一第一補償電容，電性連接于該第一摻雜區與該第一摻雜井之間，用于補償該第一接口寄生電容。

8.根據權利要求1所述的用于增加信號振幅范圍的晶體管，其特征在于，該至少一補償電容包含一第二補償電容，電性連接于該第一摻雜井與該第二摻雜井之間，用于補償該第二接口寄生電容。

9.根據權利要求1所述的用于增加信號振幅范圍的晶體管，其特征在于，其中該至少一補償電容包含一第三補償電容，電性連接于該第二摻雜井與該第一參考電位之間，用于補償該第三接口寄生電容。

10.根據權利要求1所述的用于增加信號振幅范圍的晶體管，其特征在于，該結構層更包括一第三摻雜井與一基底，該第三摻雜井形成于該基底內，且該第三摻雜井形成于該第二摻雜井與該基底之間，其中該第三摻雜井具有該第二導電類型，且一第二參考電位電性連接于該第三摻雜井，該第一參考電位電性連接于該結構層，該第三摻雜井與該基底之間具有一第四接口寄生電容，且該至少一補償電容的電容值至少是由該第一接口寄生電容的電容值、該第二接口寄生電容的電容值、該第三接口寄生電容的電容值和該第四接口寄生電容的電容值所決定；且該至少一補償電容包括一第四補償電容，電性連接于該第三摻雜井與該第一參考電位之間，用于補償該第四接口寄生電容。