[發明專利]鈦基底上鎳錳復合氧化物納米菱柱陣列電極及其制備方法有效
| 申請號： | 201610817064.X | 申請日： | 2016-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN106449158B | 公開（公告）日： | 2018-07-17 |
| 發明（設計）人： | 劉金平;趙登峰;解超越 | 申請（專利權）人： | 武漢理工大學 |
| 主分類號： | H01G11/46 | 分類號： | H01G11/46;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/28;H01G11/86 |
| 代理公司： | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人： | 喬宇;徐曉琴 |
| 地址： | 430070 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鎳錳復合氧化物 菱柱 陣列電極 鈦金屬 鈦基 制備 基底 工作電壓區間 超級電容器 電化學性能 電化學應用 寬工作電壓 三電極體系 基底表面 無機材料 陣列形式 正極材料 水電解 電極 單根 可用 垂直 生長 應用 | ||
【說明書】：
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